RST3025G
RST3025G 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
官方品牌 · 原厂渠道
产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- DFN5*6
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench
- Product status:
- Production
- Polarity:
- N
- ID(A):
- 25
- VTH(V):
- 1.6
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- 7
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- 10
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- 10.5
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- 14
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- VGS(th)(V):
- ±20
- CISS(pF):
- 1593.9
- QG(nC):
- 32.6
- PD(W):
- 30
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装特性
瑞斯特 RST3025G 是一款采用先进沟槽工艺技术的N沟道增强型功率MOSFET，专为SMPS和通用大功率应用设计，具有超低导通电阻（典型7mΩ）。主要额定参数：漏源电压 VDS = 30V，连续漏极电流 ID = 25A（TC=25℃），脉冲漏极电流 IDM = 50A，导通电阻 RDS(ON) < 10mΩ（VGS=10V，典型值7mΩ），RDS(ON) < 14mΩ（VGS=4.5V，典型值10.5mΩ）。采用 DFN 5x6 EP 表面贴装封装，结到壳热阻 4.2℃/W，最大功率耗散 30W（TC=25℃），降额因子 0.24W/℃。工作结温范围 -55~150℃，100% UIS测试。
■ 关键电气参数
RST3025G 具有卓越的导通特性，典型阈值电压 VGS(th) = 1.6V（ID=250μA），正向跨导 gFS = 15S（VDS=5V，ID=20A）。动态参数方面，输入电容 Ciss = 1593.9pF，输出电容 Coss = 192.3pF，反向传输电容 Crss = 176.8pF（VDS=15V，VGS=0V，f=1MHz）。开关特性优异：开通延迟 td(on) = 10ns，上升时间 tr = 8ns，关断延迟 td(off) = 30ns，下降时间 tf = 5ns。总栅极电荷 Qg = 32.6nC（VDS=15V，ID=10A，VGS=10V），栅源电荷 Qgs = 5.5nC，栅漏电荷 Qgd = 6nC。体二极管反向恢复时间 trr = 22ns，反向恢复电荷 Qrr = 20nC。
■ 热设计与高可靠性
RST3025G 结到壳热阻 4.2℃/W，配合 DFN 5x6 封装优异的PCB散热能力。单脉冲雪崩能量 EAS = 70mJ（Tj=25℃），器件经 100% UIS 测试。高密度单元设计实现了超低导通电阻（典型7mΩ），特殊工艺提供高ESD防护能力，DFN封装具有低寄生电感和优异的热性能，适合高频大功率应用。
■ 主要应用领域
RST3025G 适用于大功率、高频开关应用：
SMPS：开关电源（SMPS）和通用大功率应用。
电源转换：硬开关和高频电路、DC-DC转换器中的功率开关。
不间断电源：UPS功率级设计。
工业电源：负载点电源（POL）。
其30V耐压、25A电流能力、超低导通电阻和DFN 5x6封装，适合要求最高功率密度和低寄生参数的先进电源系统。选型时需注意PCB散热设计。
