RST3011E
RST3011E 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
官方品牌 · 原厂渠道
产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- SOP-8
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench
- Product status:
- Production
- Polarity:
- N
- ID(A):
- 11
- VTH(V):
- 1.5
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- 7
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- 10
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- 10
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- 14
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- VGS(th)(V):
- ±20
- CISS(pF):
- 1155
- QG(nC):
- 17.5
- PD(W):
- 2.5
- Specialfeature:
- ESD
■ 器件概述与封装特性
瑞斯特 RST3011E 是一款采用先进沟槽工艺技术的N沟道增强型功率MOSFET，专为负载开关、PWM应用设计，具有2000V HBM ESD防护能力。主要额定参数：漏源电压 VDS = 30V，连续漏极电流 ID = 11A（TA=25℃），脉冲漏极电流 IDM = 50A，导通电阻 RDS(ON) < 10mΩ（VGS=10V，典型值7mΩ），RDS(ON) < 14mΩ（VGS=4.5V，典型值10mΩ）。采用 SOP-8 表面贴装封装，结到环境热阻 50℃/W，最大功率耗散 2.5W（TA=25℃）。工作结温范围 -55~150℃，无铅产品，表面贴装封装。
■ 关键电气参数
RST3011E 具有卓越的导通特性，典型阈值电压 VGS(th) = 1.5V（ID=250μA），正向跨导 gFS = 25S（VDS=10V，ID=11A）。动态参数方面，输入电容 Ciss = 1155pF，输出电容 Coss = 260pF，反向传输电容 Crss = 95pF（VDS=15V，VGS=0V，f=1MHz）。开关特性优异：开通延迟 td(on) = 10ns，上升时间 tr = 16ns，关断延迟 td(off) = 40ns，下降时间 tf = 10.8ns。总栅极电荷 Qg = 17.5nC，栅源电荷 Qgs = 4.5nC，栅漏电荷 Qgd = 2.5nC。体二极管正向电压 VSD < 1.2V。
■ 热设计与高可靠性
RST3011E 结到环境热阻 50℃/W，配合 SOP-8 封装良好的散热能力。ESD额定值2000V HBM，提供良好的静电防护能力。高密度单元设计实现了超低导通电阻（典型7mΩ），器件经雪崩电压和电流全特性表征。SOP-8封装适合高密度板级组装，适用于PWM和负载开关应用。
■ 主要应用领域
RST3011E 适用于低压大电流开关应用：
PWM应用：PWM控制电路中的功率开关。
负载开关：高密度板级负载切换和电源路径管理。
电源管理：低压DC-DC转换器、稳压器中的功率开关。
消费电子：便携设备的电源管理。
其30V耐压、11A电流能力和超低导通电阻（典型7mΩ），配合SOP-8封装，适合空间受限的低压大电流高效应用。选型时需注意热管理，确保结温不超过150℃。
