RST3008Y
RST3008Y 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- SOT-23
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench
- Product status:
- Production
- Polarity:
- N
- ID(A):
- 8
- VTH(V):
- 1.5
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- 13.5
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- 17
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- 16
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- 22
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- VGS(th)(V):
- ±20
- CISS(pF):
- 784
- QG(nC):
- 19.4
- PD(W):
- 2
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装特性
瑞斯特 RST3008Y 是一款采用先进沟槽工艺技术的N沟道增强型功率MOSFET，专为电池开关、DC/DC转换器等应用设计。主要额定参数：漏源电压 VDS = 30V，连续漏极电流 ID = 8A（TA=25℃），脉冲漏极电流 IDM = 30A，导通电阻 RDS(ON) < 17mΩ（VGS=10V，典型值13.5mΩ），RDS(ON) < 22mΩ（VGS=4.5V，典型值16mΩ）。采用 SOT23-3L 表面贴装封装，结到环境热阻 83.3℃/W，最大功率耗散 1.5W（TA=25℃）。工作结温范围 -55~150℃，无铅产品，表面贴装封装。
■ 关键电气参数
RST3008Y 具有优异的导通特性，典型阈值电压 VGS(th) = 1.8V（ID=250μA）。动态参数方面，输入电容 Ciss = 784pF，输出电容 Coss = 109.4pF，反向传输电容 Crss = 93.8pF（VDS=15V，VGS=0V，f=1MHz）。开关特性优异：开通延迟 td(on) = 4ns，上升时间 tr = 9ns，关断延迟 td(off) = 17ns，下降时间 tf = 6ns。总栅极电荷 Qg = 19.4nC（VDS=15V，ID=4A，VGS=10V），栅源电荷 Qgs = 2.5nC，栅漏电荷 Qgd = 5nC。体二极管正向电压 VSD < 1.2V。
■ 热设计与高可靠性
RST3008Y 结到环境热阻 83.3℃/W，配合 SOT23 小封装设计。高密度单元设计实现了超低导通电阻（典型13.5mΩ），器件经雪崩电压和电流全特性表征。SOT23-3L封装适合高密度便携设备，8A电流能力在同类小封装中表现出色，适用于DC/DC转换和电池开关应用。
■ 主要应用领域
RST3008Y 适用于低压大电流开关应用：
电池开关：锂电池保护电路中的充放电保护开关。
DC/DC转换：DC-DC转换器中的功率开关。
电源管理：低压大电流电源管理应用。
消费电子：智能手机、平板电脑等便携设备的电源管理。
其30V耐压、8A电流能力和超低导通电阻（典型13.5mΩ），配合SOT23小封装，适合空间受限的低压大电流高效应用。选型时需注意热管理，确保结温不超过150℃。
