RST3007S
RST3007S 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
官方品牌 · 原厂渠道
产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- SOP-8
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench
- Product status:
- Production
- Polarity:
- P
- ID(A):
- -6.5
- VTH(V):
- -1.9
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- 29
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- 37
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- 49
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- 72
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- VGS(th)(V):
- ±20
- CISS(pF):
- 660
- QG(nC):
- 9.2
- PD(W):
- 3.1
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装特性
瑞斯特 RST3007S 是一款采用先进沟槽工艺技术的P沟道增强型功率MOSFET，专为负载开关、电池保护等应用设计。主要额定参数：漏源电压 VDS = -30V，连续漏极电流 ID = -6.5A（TA=25℃），脉冲漏极电流 IDM = -30A，导通电阻 RDS(ON) < 42mΩ（VGS=-10V，典型值30mΩ），RDS(ON) < 72mΩ（VGS=-4.5V，典型值53mΩ）。采用 SOP-8 表面贴装封装，结到环境热阻 40℃/W，最大功率耗散 3.1W（TA=25℃）。工作结温范围 -55~150℃，适合高密度板级组装。
■ 关键电气参数
RST3007S 具有优良的导通特性，典型阈值电压 VGS(th) = -1.65V（ID=-250μA），正向跨导 gFS = 14S（VDS=-5V，ID=-6.5A）。动态参数方面，输入电容 Ciss = 660pF，输出电容 Coss = 100pF，反向传输电容 Crss = 65pF（VDS=-15V，VGS=0V，f=1MHz）。开关特性优异：开通延迟 td(on) = 7.5ns，上升时间 tr = 5.5ns，关断延迟 td(off) = 19ns，下降时间 tf = 7ns。总栅极电荷 Qg = 9.2nC（VDS=-15V，ID=-6.5A，VGS=-10V），栅源电荷 Qgs = 1.6nC，栅漏电荷 Qgd = 2.2nC。体二极管正向电压 VSD < 1.2V。
■ 热设计与高可靠性
RST3007S 结到环境热阻 40℃/W，配合 SOP-8 封装良好的散热能力。高密度单元设计实现了超低导通电阻（典型30mΩ），器件经雪崩电压和电流全特性表征。SOP-8封装适合高密度板级组装，30V耐压和6.5A电流能力使其适用于多种P沟道开关应用。
■ 主要应用领域
RST3007S 适用于中压P沟道开关应用：
负载开关：高侧负载切换和电源路径管理。
电池保护：锂电池保护电路中的充放电保护开关。
电源管理：DC-DC转换器、稳压器中的功率开关。
工业控制：小功率驱动和逻辑电平转换电路。
其-30V耐压、-6.5A电流能力和低导通电阻（典型30mΩ），配合SOP-8封装，适合需要良好散热和较高电流能力的P沟道开关应用。选型时需注意热管理，确保结温不超过150℃。
