RST25N260

■ 器件概述与封装
瑞斯特（RST）RST25N260 是一款采用 SOP-8 封装的 N 沟道增强型功率MOSFET，专为电视逆变器等中高压电源管理应用设计。该器件额定漏源电压 VDS = 200V，连续漏极电流 ID = 4A（Tc=25℃），脉冲电流 IDP = 4A（300μs），栅源电压耐受 ±20V。最高结温 150℃，存储温度范围 -55℃~150℃。RST25N260 经过 100% UIS 和 Rg 测试，具备高可靠性和耐用性。SOP-8 封装（4.80mm×5.80mm）适合高密度PCB布局，满足 RoHS 环保要求，适用于空间受限但需要较高耐压的应用。

■ 关键电气参数
RST25N260 的导通电阻典型值 RDS(on) = 260mΩ（VGS=10V, ID=1.9A），在 200V 耐压等级下兼顾了导通损耗与耐压能力。栅极阈值电压 VGS(th) 范围 2~4V（ID=250μA），兼容 10V 驱动。漏源击穿电压 BVDS = 200V（最小值），高温漏电流 IDSS 在 85℃ 时小于 30μA，稳定性良好。动态参数方面，输入电容 CISS 典型值 500pF，输出电容 COSS 约 41pF，反向传输电容 CRSS 约 16pF（VDS=30V, f=1MHz），极低的电容有助于减少开关损耗，提高开关速度。栅极电荷 Qg 典型值 10nC（VGS=10V），米勒电荷 Qgd 约 2.5nC，使其在 100kHz~500kHz 的高频开关应用中具备良好的动态性能。

■ 热管理与可靠性设计
RST25N260 在 Tc=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 2.5W，Tc=100℃ 时降额至 1W。结到环境热阻 RθJA = 50℃/W（表面贴装于 1in² 铜箔，t≤10s），稳态条件下为 75℃/W。建议为漏极焊盘提供足够的铜箔面积以改善散热。器件经过 100% UIS 测试，确保在感性负载开关中的可靠性（具体雪崩能量未列出，但器件设计稳健）。栅极电阻 Rg 典型值 3Ω，利于栅极驱动匹配。SOP-8 封装可承受 260℃ 回流焊，适合大批量表面贴装生产。

■ 典型应用场景
RST25N260 凭借 200V 耐压、4A 电流能力和低 Qg，广泛适用于以下中高压应用：

• 电视逆变器：用于 LCD/LED 电视背光驱动电路中的高压开关，提供稳定的功率转换。

• AC-DC 辅助电源：在 100V~200V 输入的辅助电源中作为主开关管或辅助开关。

• 工业照明：用于 LED 照明驱动中的高压开关，提高效率。

• 负载开关：在 48V~72V 母线系统中实现低损耗的电源路径管理。

• 通用开关电路：适用于需要 200V 耐压的中等电流通用开关应用。

瑞斯特 RST25N260 以 SOP-8 封装提供 200V/4A 的高压开关能力，为电视电源和工业照明提供紧凑高效的解决方案。