RST2507

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RST2507 是一款 P 沟道增强型功率MOSFET，采用 SOT-23-3L 超小型封装，专为笔记本计算机、便携设备和电池供电系统的电源管理设计。该器件额定漏源电压 VDS = -25V，连续漏极电流 ID = -7.2A（TA=25℃），脉冲电流 IDM = -21.6A，栅源电压耐受 ±20V。最高结温 150℃，存储温度范围 -55℃~150℃。RST2507 经过 100% UIS 和 Rg 测试，具备高可靠性和耐用性，MSL1 等级。SOT-23-3L 封装占用极小 PCB 面积，适合空间受限的便携设备，满足 RoHS 要求。

■ 关键电气参数
RST2507 的导通电阻典型值 RDS(on) = 12mΩ（VGS=-10V, ID=-7.2A），最大 17mΩ；在 VGS=-4.5V 时典型值为 17mΩ，最大 24mΩ。极低的导通电阻使其在高电流下仍保持极低损耗。栅极阈值电压 VGS(th) 范围 -1.0~-2.5V（ID=-250μA），确保低电压下可靠导通。动态参数方面，输入电容 CISS 典型值 1270pF，输出电容 COSS 约 255pF，反向传输电容 CRSS 约 165pF（VDS=-15V, f=1MHz）。栅极电荷 Qg 典型值 13.8nC（VGS=-4.5V），米勒电荷 Qgd 约 4.6nC，使其在数百kHz开关频率下具备良好的动态性能。栅极电阻典型值 6Ω。

■ 热管理与可靠性设计
RST2507 在 TA=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 1.14W，TA=70℃ 时降额至 0.73W。稳态结到环境热阻 RθJA = 110℃/W（基于 1in² 铜箔）。建议为漏极焊盘提供足够铜箔以改善散热。器件经过 UIS 测试，单脉冲雪崩能量 EAS = 25mJ（L=0.5mH），确保在感性负载开关中的可靠性。

■ 典型应用场景
RST2507 凭借 -25V 耐压、-7.2A 电流能力和极低导通电阻，广泛适用于以下应用：

• 笔记本电源管理：作为系统负载开关，用于 SSD、Wi-Fi 等外设的电源控制。

• 便携设备电池管理：在电池供电系统中作为电池隔离开关。

• 负载开关：在 5V/12V 系统中实现低损耗的电源路径管理。

• DC-DC 转换器：在低压 buck 转换器中作为同步整流管。

瑞斯特 RST2507 以 SOT-23-3L 小封装提供 -25V/-7.2A 的 P 沟道高性能，为便携设备提供高效、紧凑的功率开关方案。