RST2333Y
RST2333Y 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
官方品牌 · 原厂渠道
产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- SOT-23
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench
- Product status:
- Production
- Polarity:
- P
- ID(A):
- -6
- VTH(V):
- -0.7
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- 19
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- 30
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- 26
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- 45
- VGS(th)(V):
- ±12
- CISS(pF):
- 1100
- QG(nC):
- 12
- PD(W):
- 1.8
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装特性
瑞斯特 RST2333Y 是一款采用先进沟槽工艺技术的P沟道增强型功率MOSFET，专为负载开关、PWM应用设计，支持低至2.5V的栅极驱动电压。主要额定参数：漏源电压 VDS = -12V，连续漏极电流 ID = -6A（TA=25℃），脉冲漏极电流 IDM = -20A，导通电阻 RDS(ON) < 30mΩ（VGS=-4.5V，典型值19mΩ），RDS(ON) < 45mΩ（VGS=-2.5V，典型值26mΩ）。采用 SOT-23-3L 表面贴装封装，结到环境热阻 69℃/W，最大功率耗散 1.8W（TA=25℃）。工作结温范围 -55~150℃，无铅产品，表面贴装封装。
■ 关键电气参数
RST2333Y 具有卓越的导通特性，典型阈值电压 VGS(th) = -0.65V（ID=-250μA），正向跨导 gFS = 17S（VDS=-5V，ID=-6A）。动态参数方面，输入电容 Ciss = 1100pF，输出电容 Coss = 390pF，反向传输电容 Crss = 300pF（VDS=-6V，VGS=0V，f=1MHz）。开关特性优异：开通延迟 td(on) = 25ns，上升时间 tr = 45ns，关断延迟 td(off) = 72ns，下降时间 tf = 60ns。总栅极电荷 Qg = 11.5nC（VDS=-6V，ID=-6A，VGS=-4.5V），栅源电荷 Qgs = 1.5nC，栅漏电荷 Qgd = 3.2nC。体二极管正向电压 VSD < 1.2V。
■ 热设计与高可靠性
RST2333Y 结到环境热阻 69℃/W，配合 SOT-23 小封装设计。高密度单元设计实现了超低导通电阻（典型19mΩ），器件经雪崩电压和电流全特性表征。低阈值电压支持2.5V驱动，SOT-23封装适合高密度便携设备，6A电流能力在同类封装中极为出色。
■ 主要应用领域
RST2333Y 适用于低压大电流P沟道开关应用：
PWM应用：PWM控制电路中的P沟道功率开关。
负载开关：便携式设备中的高侧负载切换、电源路径管理。
电源管理：低压DC-DC转换器、稳压器中的功率开关。
消费电子：智能手机、平板电脑等便携设备的电源管理。
其-12V耐压、-6A电流能力和超低导通电阻（典型19mΩ），配合SOT-23小封装，适合空间受限的低压大电流P沟道高效应用。选型时需注意热管理，确保结温不超过150℃。
