RST2321
RST2321 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
官方品牌 · 原厂渠道
产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- SOT-23
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench
- Product status:
- Production
- Polarity:
- P
- ID(A):
- -3.9
- VTH(V):
- -0.7
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- 34
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- 45
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- 44
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- 60
- VGS(th)(V):
- ±12
- CISS(pF):
- 560
- QG(nC):
- 8.5
- PD(W):
- 1.4
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装特性
瑞斯特 RST2321 是一款采用先进沟槽工艺技术的P沟道增强型功率MOSFET，专为负载开关、PWM应用设计，支持低至2.5V的栅极驱动电压。主要额定参数：漏源电压 VDS = -20V，连续漏极电流 ID = -3.9A（TA=25℃），脉冲漏极电流 IDM = -12A，导通电阻 RDS(ON) < 50mΩ（VGS=-4.5V，典型值37mΩ），RDS(ON) < 70mΩ（VGS=-2.5V，典型值48mΩ）。采用 SOT-23 表面贴装封装，结到环境热阻 89℃/W，最大功率耗散 1.4W（TA=25℃）。工作结温范围 -55~150℃，无铅产品，表面贴装封装。
■ 关键电气参数
RST2321 具有优良的导通特性，典型阈值电压 VGS(th) = -0.7V（ID=-250μA），正向跨导 gFS = 5S（VDS=-5V，ID=-3A）。动态参数方面，输入电容 Ciss = 560pF，输出电容 Coss = 80pF，反向传输电容 Crss = 70pF（VDS=-10V，VGS=0V，f=1MHz）。开关特性优异：开通延迟 td(on) = 12ns，上升时间 tr = 35ns，关断延迟 td(off) = 55ns，下降时间 tf = 40ns。总栅极电荷 Qg = 8.5nC（VDS=-10V，ID=-3.3A，VGS=-4.5V），栅源电荷 Qgs = 1.2nC，栅漏电荷 Qgd = 2.1nC。体二极管正向电压 VSD < 1.2V。
■ 热设计与高可靠性
RST2321 结到环境热阻 89℃/W，配合 SOT-23 小封装设计。高密度单元设计实现了低导通电阻（典型37mΩ），器件经雪崩电压和电流全特性表征。低阈值电压支持2.5V驱动，SOT-23封装适合高密度便携设备，适用于PA开关、负载开关和电源管理应用。
■ 主要应用领域
RST2321 适用于低压P沟道开关应用：
PA开关：功率放大器开关控制。
负载开关：便携式设备中的高侧负载切换、电源路径管理。
电源管理：低压DC-DC转换器、稳压器中的功率开关。
消费电子：智能手机、平板电脑等便携设备的电源管理。
其-20V耐压、-3.9A电流能力和低导通电阻（典型37mΩ），配合SOT-23小封装，适合空间受限的低压P沟道高效应用。选型时需注意热管理，确保结温不超过150℃。
