RST2309 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计,电气性能稳定、环境适应性强, 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求,广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定,适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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■ 器件概述与封装
瑞斯特(RST)RST2309 是一款采用 SOT-23-3L 超小型封装的 P 沟道增强型功率MOSFET,专为 DC-DC 转换器、负载开关和电源管理等中压应用设计。该器件额定漏源电压 VDS = -60V,连续漏极电流 ID = -2A(TA=25℃),脉冲电流 IDM = -6A,栅源电压耐受 ±20V。最高结温 150℃,存储温度范围 -55℃~150℃。RST2309 经过 100% UIS 和 Rg 测试,具备高可靠性和耐用性。SOT-23-3L 封装(2.9mm×2.8mm)占用极小 PCB 面积,适合空间受限的便携设备和工业模块,同时满足 RoHS 环保要求。
■ 关键电气参数
RST2309 的导通电阻典型值 RDS(on) = 130mΩ(VGS=-10V, ID=-2.9A),最大 170mΩ;在 VGS=-4.5V 时典型值为 180mΩ,最大 230mΩ。在 -60V 耐压等级下,适中的导通电阻有效平衡了耐压与导通损耗。栅极阈值电压 VGS(th) 范围 -1~-2.5V(ID=-250μA),兼容 3.3V/5V/10V 驱动。动态参数方面,输入电容 CISS 典型值 430pF,输出电容 COSS 约 41pF,反向传输电容 CRSS 约 25pF(VDS=-30V, f=1MHz),较低的电容有助于减少开关损耗。栅极电荷 Qg 典型值 11nC(VGS=-10V),米勒电荷 Qgd 约 2.4nC,使其在 100kHz~1MHz 开关频率下具备良好的动态性能。栅极电阻典型值 11Ω。
■ 热管理与可靠性设计
RST2309 在 TA=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 2W,TA=70℃ 时降额至 1.3W。短脉冲(t≤10s)结到环境热阻 RθJA = 60℃/W,稳态热阻 100℃/W(基于 1in² 铜箔)。建议为漏极焊盘提供足够铜箔以改善散热。器件经过 100% UIS 测试,雪崩能量 EAS = 12mJ(L=0.5mH, IAS=7A),确保在感性负载开关中的可靠性。器件可承受 260℃ 回流焊。
■ 典型应用场景
RST2309 凭借 -60V 耐压、-2A 电流能力和低 Qg,广泛适用于以下应用:
DC-DC 转换器:在 24V/48V 输入的 buck 或 boost 转换器中作为主开关或同步整流管。
负载开关:在 24V/48V 母线系统中实现低损耗的电源路径管理。
电源管理:在工业控制模块、传感器节点中作为电源开关。
电池保护:在多串锂电池保护板中作为放电开关。
瑞斯特 RST2309 以 SOT-23-3L 小封装提供 -60V/-2A 的 P 沟道高性能,为工业电源管理和便携设备提供可靠的开关方案。