RST2305TMP
RST2305TMP 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- 封装:
- Configuration:
- Type:
- VDS(V):
- VGS(±V):
- Vth（V）:
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(max.):
- ESDDiode:
■ 器件概述与封装
瑞斯特（RST）RST2305TMP 是一款采用 SOT-23 超小型封装的 P 沟道增强型功率MOSFET，专为笔记本计算机、便携设备和电池供电系统的电源管理设计，支持 1.8V 低压驱动。该器件额定漏源电压 VDS = -20V，连续漏极电流 ID = -6.2A（TA=25℃），脉冲电流 IDM = -18A，栅源电压耐受 ±12V。最高结温 150℃，存储温度范围 -55℃~150℃。RST2305TMP 经过 100% UIS 和 Rg 测试，具备高可靠性和耐用性。SOT-23 封装（2.9mm×2.8mm）占用极小 PCB 面积，适合空间受限的便携设备，同时满足 RoHS 环保要求。
■ 关键电气参数
RST2305TMP 的导通电阻典型值 RDS(on) = 30mΩ（VGS=-4.5V, ID=-6.2A），最大 36mΩ；在 VGS=-2.5V 时典型值为 36mΩ，最大 45mΩ；在 VGS=-1.8V 时典型值为 50mΩ，最大 60mΩ。与 RST2305MPT 参数基本一致，提供相同的低压驱动和低导通电阻性能。栅极阈值电压 VGS(th) 范围 -0.5~-1.0V（ID=-250μA），确保低电压下可靠导通。动态参数方面，输入电容、输出电容和反向传输电容优化良好，栅极电荷 Qg 较低，米勒电荷 Qgd 较小，使其在 MHz 级开关频率下具备快速开关能力。
■ 热管理与可靠性设计
RST2305TMP 在 TA=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 1.6W，TA=70℃ 时降额至 1W。短脉冲（t≤10s）结到环境热阻 RθJA = 80℃/W，稳态热阻 100℃/W（基于 1in² 铜箔）。建议为漏极焊盘提供足够铜箔以改善散热。器件经过 100% UIS 测试，雪崩能量 EAS = 16mJ（L=0.1mH, IAS=-18A），确保在感性负载开关中的可靠性。器件可承受 260℃ 回流焊。
■ 典型应用场景
RST2305TMP 凭借 -20V 耐压、-6.2A 电流能力和低至 1.8V 的驱动能力，广泛适用于以下应用：
笔记本电源管理：作为系统负载开关，用于 SSD、Wi-Fi 等外设的电源控制。
便携设备电池管理：在电池供电系统中作为电池隔离开关，支持低损耗。
负载开关：在 5V/12V 系统中实现低损耗的电源路径管理。
DC-DC 转换器：在低压 buck 转换器中作为同步整流管。
瑞斯特 RST2305TMP 以 SOT-23 小封装提供 -20V/-6.2A 的 P 沟道高性能，为便携设备提供高效、紧凑的功率开关方案。
