RST20P85GU
RST20P85GU 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
官方品牌 · 原厂渠道
产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- DFN5*6
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench
- Product status:
- Production
- Polarity:
- P
- ID(A):
- -85
- VTH(V):
- -0.6
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- 1.4
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- 1.9
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- 1.9
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- 2.4
- VGS(th)(V):
- ±10
- CISS(pF):
- 12670
- QG(nC):
- 115
- PD(W):
- 150
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装特性
瑞斯特（RST）RST20P85GU 是一款采用 DFN 5x6-8L 表面贴装封装的高性能 P 沟道功率 MOSFET，专为极超高功率密度开关应用而设计。该器件采用先进的沟槽工艺技术，实现了极低的导通电阻和低栅极电荷，具备优异的 ESD 保护能力和高可靠性。主要额定参数：漏源电压 VDS = -20V，连续漏极电流 ID = -85A（TC=100℃ 时 -60.1A），脉冲漏极电流 IDM = -340A，栅源电压 VGS = ±10V。器件耗散功率 PD = 150W，降额因子 1.2W/℃，单脉冲雪崩能量 EAS = 420mJ，结温范围 -55℃ ~ +150℃。DFN 5x6-8L 封装结到外壳热阻 RθJC = 0.83℃/W，适用于极超高功率密度设计。
■ 关键电气参数
RST20P85GU 的导通电阻典型值在 VGS=-4.5V、ID=-20A 时为 1.4mΩ，最大值 1.9mΩ（VGS=-2.5V 时最大 2.4mΩ，VGS=-1.8V 时最大 3.8mΩ），极低 RDS(on) 可大幅降低导通损耗。栅极阈值电压 VGS(th) 典型值为 -0.6V（ID=-250μA），适合 1.8V 超低压逻辑驱动。动态特性方面，输入电容 CISS = 12670pF，输出电容 COSS = 1695pF，反向传输电容 CRSS = 1485pF（VDS=-10V、f=1MHz）。开关特性方面，典型开通延迟时间 td(on) = 16ns，上升时间 tr = 38ns，关断延迟时间 td(off) = 360ns，下降时间 tf = 210ns（VDD=-10V、ID=-20A、VGS=-4.5V、RGEN=3Ω）。总栅极电荷 Qg = 114.7nC，栅源电荷 Qgs = 22.4nC，栅漏电荷 Qgd = 23.4nC。体二极管正向压降 VSD = 1.2V（IS=-20A），反向恢复时间 trr = 150ns，反向恢复电荷 Qrr = 240nC。
■ 热设计与可靠性
DFN 5x6-8L 封装结到外壳热阻 RθJC = 0.83℃/W，设计时需注意 PCB 铜箔面积和散热过孔。在 25℃ 壳温下最大耗散功率 150W，降额因子 1.2W/℃。工作结温范围 -55℃ ~ +150℃。器件经过 100% UIS 和 100% AVds 测试，确保在严苛的雪崩和过压条件下可靠工作。符合无铅制造要求，可承受 260℃ 回流焊峰值温度。
■ 主要应用领域
RST20P85GU 凭借 -20V 耐压和 -85A 电流能力，广泛应用于以下场景：
负载开关：用于极超高功率负载切换应用。
电池保护：用于锂电池保护电路中的充放电控制。
电源管理：用于高功率密度电源系统中的功率级。
DC-DC 转换器：适用于降压/升压转换器中的功率开关。
便携设备：用于高功率便携设备的电源管理。
综上，瑞斯特 RST20P85GU 以 DFN 5x6-8L 封装和极低 RDS(on)，为极超高功率密度开关应用提供顶级方案。
