RST20NP1006S
RST20NP1006S 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
官方品牌 · 原厂渠道
产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- SOP-8
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench
- Product status:
- Production
- Polarity:
- N+P
- ID(A):
- 10
- VTH(V):
- 0.7
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- 12
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- 14
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- 13.5
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- 18
- VGS(th)(V):
- ±12
- CISS(pF):
- 691
- QG(nC):
- 10.2
- PD(W):
- 2
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装特性
瑞斯特（RST）RST20NP1006S 是一款采用 SOP-8 表面贴装封装的互补型功率 MOSFET，内部集成了 N 沟道和 P 沟道两种器件，为半桥、全桥和推挽等电路拓扑提供了高度集成的解决方案。该器件采用先进的沟槽工艺技术，实现了超低的导通电阻和低栅极电荷，具备优异的开关性能和可靠性。主要额定参数：N 沟道漏源电压 VDS = 20V，P 沟道 VDS = -20V，连续漏极电流 N 沟道 ID = 10A、P 沟道 ID = -6A（TA=70℃ 时分别为 8A 和 -4.8A），脉冲漏极电流 IDM = 40A/-30A，栅源电压 VGS = ±12V。器件耗散功率 PD = 2W，结温范围 -55℃ ~ +150℃。SOP-8 封装结到环境热阻 RθJA = 62.5℃/W，适用于紧凑型设计。
■ 关键电气参数
N 沟道导通电阻典型值在 VGS=4.5V、ID=10A 时为 12mΩ，最大值 14mΩ（VGS=2.5V 时最大 18mΩ）；P 沟道导通电阻典型值在 VGS=-4.5V、ID=-6A 时为 34mΩ，最大值 45mΩ（VGS=-2.5V 时最大 60mΩ）。栅极阈值电压典型值 N 沟道为 0.7V，P 沟道为 -0.7V（ID=±250μA），适合 2.5V/4.5V 逻辑驱动。动态特性方面，N 沟道输入电容 CISS = 691pF，输出电容 COSS = 128pF，反向传输电容 CRSS = 115pF（VDS=10V、f=1MHz）；P 沟道输入电容 CISS = 550pF，输出电容 COSS = 93pF，反向传输电容 CRSS = 64pF（VDS=-10V、f=1MHz）。总栅极电荷 N 沟道 Qg = 10.2nC，P 沟道 Qg = 7nC，实现快速开关。体二极管正向压降均为 1.2V。
■ 热设计与可靠性
SOP-8 封装热阻 θJA 为 62.5℃/W（在 1in² FR-4 PCB 上，铜厚 2oz）。在 25℃ 环境温度下最大耗散功率 2W。工作结温范围 -55℃ ~ +150℃。器件符合无铅制造要求，可承受 260℃ 回流焊峰值温度。
■ 主要应用领域
RST20NP1006S 凭借互补集成和 ±20V 耐压，广泛应用于以下场景：
电源管理：用于电源管理电路中的功率级开关。
DC-DC 转换器：用于同步降压/升压转换器的功率级。
负载开关：用于便携设备和电池供电系统中的负载切换。
逆变器：用于小功率逆变器的功率级开关。
Class-D 放大器：用于音频功率放大器的输出级。
综上，瑞斯特 RST20NP1006S 以 SOP-8 封装和互补集成优势，为紧凑型功率转换应用提供高集成度方案。
