RST20ND06
RST20ND06 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
官方品牌 · 原厂渠道
产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- TSSOP-8
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench双芯
- Product status:
- Production
- Polarity:
- N+N
- ID(A):
- 6
- VTH(V):
- 0.7
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- 17
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- 22
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- 21
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- 30
- VGS(th)(V):
- ±12
- CISS(pF):
- 620
- QG(nC):
- 10
- PD(W):
- 1.6
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装特性
瑞斯特（RST）RST20ND06 是一款采用 TSSOP-8 表面贴装封装的高性能 N 沟道功率 MOSFET，专为低压大电流开关应用而设计。该器件采用先进的沟槽工艺技术，实现了超低的导通电阻和低栅极电荷，支持低至 2.5V 的栅极驱动电压，适用于电池保护、负载开关等低压应用。主要额定参数：漏源电压 VDS = 20V，连续漏极电流 ID = 6A，脉冲漏极电流 IDM = 25A，栅源电压 VGS = ±12V。器件耗散功率 PD = 1.6W，结温范围 -55℃ ~ +150℃。TSSOP-8 封装结到环境热阻 RθJA = 78℃/W，适用于紧凑型设计，如电池保护电路和电源管理模块。
■ 关键电气参数
RST20ND06 的导通电阻典型值在 VGS=4.5V、ID=6A 时为 17mΩ，最大值 22mΩ（VGS=2.5V 时最大 30mΩ），超低 RDS(on) 可大幅降低导通损耗。栅极阈值电压 VGS(th) 典型值为 0.7V（ID=250μA），适合 1.8V/2.5V 低压逻辑驱动。动态特性方面，输入电容 CISS = 620pF，输出电容 COSS = 125pF，反向传输电容 CRSS = 64pF（VDS=10V、f=1MHz）。开关特性方面，典型开通延迟时间 td(on) = 10ns，上升时间 tr = 11ns，关断延迟时间 td(off) = 35ns，下降时间 tf = 30ns（VDD=10V、ID=6A、VGS=4.5V、RGEN=6Ω）。总栅极电荷 Qg = 10nC，栅源电荷 Qgs = 2.3nC，栅漏电荷 Qgd = 1.5nC。体二极管正向压降 VSD = 0.75V（IS=6A），典型的低导通压降有助于提高效率。
■ 热设计与可靠性
TSSOP-8 封装热阻 θJA 为 78℃/W（在 FR-4 PCB 上），设计时需注意 PCB 铜箔面积和散热过孔。在 25℃ 环境温度下最大耗散功率 1.6W。工作结温范围 -55℃ ~ +150℃。器件符合无铅制造要求，可承受 260℃ 回流焊峰值温度。
■ 主要应用领域
RST20ND06 凭借 20V 耐压和超低 RDS(on)，广泛应用于以下场景：
电池保护：用于锂电池保护电路中的充放电控制。
负载开关：用于便携设备和电池供电系统中的负载切换。
电源管理：用于低压 DC-DC 转换器中的功率级。
PWM 应用：用于 PWM 控制器中的功率开关。
便携设备：用于智能手机、平板电脑等设备的电源管理。
综上，瑞斯特 RST20ND06 以 TSSOP-8 封装和超低 RDS(on)，为低压大电流开关应用提供高性价比方案。
