RST20N65

■ 器件概述与封装
瑞斯特（RST）RST20N65 是一款采用 TO-252-2（DPAK）封装的 N 沟道增强型功率MOSFET，专为 650V 高压 AC-DC 功率转换应用设计，如开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）和适配器。该器件额定漏源电压 VDS = 650V，连续漏极电流 ID = 20A（TC=25℃），脉冲电流 IDP = 44A，栅源电压耐受 ±30V。最高结温 150℃，存储温度范围 -55℃~150℃。RST20N65 经过 100% UIS 和 Rg 测试，具备雪崩额定值和高 dv/dt 抗扰度（50V/ns），确保在恶劣的电源环境中可靠运行。TO-252-2 封装提供较大的散热焊盘和引线框架，适合较高功耗的应用，同时满足 RoHS 环保要求。

■ 关键电气参数
RST20N65 的导通电阻典型值 RDS(on) = 260mΩ（VGS=10V, ID=20A），在 650V 耐压等级下实现了较好的导通损耗特性。栅极阈值电压 VGS(th) 典型值约 2~4V（ID=250μA），兼容 10V 驱动。漏源击穿电压 BVDS = 650V（最小值），高温漏电流控制良好。动态参数方面，输入电容、输出电容和反向传输电容经过优化，减少了开关过程中的电压尖峰。栅极电荷 Qg 典型值适中，米勒电荷 Qgd 较低，使其在 100kHz 开关频率下具备良好的开关性能和效率。体二极管反向恢复特性优异，有助于减少开关损耗和电磁干扰。

■ 热管理与可靠性设计
RST20N65 在 TC=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 119W（TO-220/TO-252-2 封装），TC=100℃ 时降额至 47.6W。结到外壳热阻 RθJC = 1.05℃/W，结到环境热阻 RθJA = 62.5℃/W。建议将底部散热焊盘连接到足够的铜箔或散热器，以降低热阻。器件经过 100% UIS 测试，单脉冲雪崩能量 EAS = 130mJ（IAS=1.8A），重复雪崩能量 EAR = 0.3mJ，雪崩电流 IAR = 1.8A，确保在变压器漏感等感性负载下的可靠性。栅极电阻匹配良好，利于驱动。TO-252-2 封装可承受 260℃ 回流焊。

■ 典型应用场景
RST20N65 凭借 650V 耐压、20A 电流能力和低 RDS(on)，广泛适用于以下高压电源应用：

• 开关电源（SMPS）：作为反激、正激或谐振变换器的主开关管，用于通信电源、工业电源和消费类适配器。

• 不间断电源（UPS）：在 UPS 中作为功率开关，提供可靠的电源转换。

• AC-DC 适配器：用于笔记本电脑、显示器等设备的电源适配器，提高转换效率。

• LED 照明电源：在 LED 驱动器中实现高效功率转换。

• 功率因数校正（PFC）：作为 PFC 升压开关管，提升电网利用率。

瑞斯特 RST20N65 以 TO-252-2 封装提供 650V/20A 的高压大电流能力，为高可靠性电源系统提供坚实的功率开关方案。