RST2060K
RST2060K 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
官方品牌 · 原厂渠道
产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- TO-252
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench
- Product status:
- Production
- Polarity:
- N
- ID(A):
- 60
- VTH(V):
- 0.8
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- 4.8
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- 6
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- 6.2
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- 9
- VGS(th)(V):
- ±12
- CISS(pF):
- 2800
- QG(nC):
- 35
- PD(W):
- 60
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装特性
瑞斯特 RST2060K 是一款采用先进沟槽工艺技术的N沟道增强型功率MOSFET，专为需要超低导通电阻（典型4.8mΩ）和高可靠性的大功率低压开关应用设计。主要额定参数：漏源电压 VDS = 20V，连续漏极电流 ID = 60A（TC=25℃），脉冲漏极电流 IDM = 210A，导通电阻 RDS(ON) < 6mΩ（VGS=4.5V，典型值4.8mΩ），RDS(ON) < 9mΩ（VGS=2.5V，典型值6.2mΩ）。采用 TO-252-2L（DPAK）表面贴装封装，结到壳热阻 2.1℃/W，最大功率耗散 60W（TC=25℃），降额因子 0.48W/℃。工作结温范围 -55~150℃，100% UIS和AVds测试。
■ 关键电气参数
RST2060K 具有卓越的导通特性，典型阈值电压 VGS(th) = 0.75V（ID=250μA），正向跨导 gFS = 15S（VDS=10V，ID=20A）。动态参数方面，输入电容 Ciss = 2000pF，输出电容 Coss = 500pF，反向传输电容 Crss = 200pF（VDS=10V，VGS=0V，f=1MHz）。开关特性优异：开通延迟 td(on) = 6.4ns，上升时间 tr = 17.2ns，关断延迟 td(off) = 29.6ns，下降时间 tf = 16.8ns。总栅极电荷 Qg = 27nC（VDS=10V，ID=20A，VGS=10V），栅源电荷 Qgs = 6.5nC，栅漏电荷 Qgd = 6.4nC。体二极管反向恢复时间 trr = 25ns，反向恢复电荷 Qrr = 24nC。
■ 热设计与高可靠性
RST2060K 结到壳热阻 2.1℃/W，配合 TO-252 封装良好的PCB散热能力。单脉冲雪崩能量 EAS = 200mJ（Tj=25℃），器件经 100% UIS 和 100% AVds 测试。高密度单元设计实现了超低导通电阻（典型4.8mΩ），特殊工艺提供高ESD防护能力，适用于严苛的工业和电源应用。TO-252封装适合高密度表面贴装，60A电流能力使其成为低压大电流应用的理想选择。
■ 主要应用领域
RST2060K 适用于低压大功率表面贴装开关应用：
负载开关：大电流负载切换和电源路径管理。
电源转换：硬开关和高频电路、DC-DC转换器中的功率开关。
不间断电源：UPS功率级设计。
电机驱动：小功率直流电机控制。
其20V耐压、60A电流能力和超低导通电阻（典型4.8mΩ），配合TO-252封装，适合需要最高功率密度和效率的低压大电流应用。选型时需注意PCB散热设计，确保结温不超过150℃。
