RST2030
RST2030 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
官方品牌 · 原厂渠道
产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- TO-220
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench
- Product status:
- Production
- Polarity:
- N
- ID(A):
- 30
- VTH(V):
- 0.7
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- 11
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- 13
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- 14
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- 18
- VGS(th)(V):
- ±12
- CISS(pF):
- 1544
- QG(nC):
- 23.5
- PD(W):
- 40
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装特性
瑞斯特 RST2030 是一款采用先进沟槽工艺技术的N沟道增强型功率MOSFET，专为需要超低导通电阻（典型10.5mΩ）和高可靠性的大功率低压开关应用设计。主要额定参数：漏源电压 VDS = 20V，连续漏极电流 ID = 30A（TC=25℃），脉冲漏极电流 IDM = 100A，导通电阻 RDS(ON) < 12mΩ（VGS=10V，典型值10.5mΩ），RDS(ON) < 13mΩ（VGS=4.5V，典型值11mΩ），RDS(ON) < 18mΩ（VGS=2.5V，典型值14mΩ）。采用 TO-220-3L 通孔封装，结到壳热阻 3.8℃/W，最大功率耗散 40W（TC=25℃）。工作结温范围 -55~175℃，100% UIS测试。
■ 关键电气参数
RST2030 具有卓越的导通特性，典型阈值电压 VGS(th) = 0.7V（ID=250μA），正向跨导 gFS = 10S（VDS=5V，ID=20A）。动态参数方面，输入电容 Ciss = 1544pF，输出电容 Coss = 210.1pF，反向传输电容 Crss = 201.4pF（VDS=10V，VGS=0V，f=1MHz）。开关特性优异：开通延迟 td(on) = 4.5ns，上升时间 tr = 9.2ns，关断延迟 td(off) = 18.7ns，下降时间 tf = 3.3ns。总栅极电荷 Qg = 23.5nC（VDS=10V，ID=20A，VGS=4.5V），栅源电荷 Qgs = 2.8nC，栅漏电荷 Qgd = 5.75nC。体二极管反向恢复时间 trr = 18ns，反向恢复电荷 Qrr = 9.5nC。
■ 热设计与高可靠性
RST2030 结到壳热阻 3.8℃/W，配合 TO-220 封装良好的散热能力。单脉冲雪崩能量 EAS = 150mJ（Tj=25℃），器件经 100% UIS 测试。高密度单元设计实现了超低导通电阻（典型10.5mΩ），特殊工艺提供高ESD防护能力，适用于严苛的工业和电源应用。
■ 主要应用领域
RST2030 适用于低压大功率开关应用：
电源转换：硬开关和高频电路、DC-DC转换器中的功率开关。
负载开关：大电流负载切换和电源路径管理。
不间断电源：UPS功率级设计。
电机驱动：小功率直流电机控制。
其20V耐压、30A电流能力和超低导通电阻（典型10.5mΩ），配合TO-220封装，适合需要高可靠性和良好散热能力的低压大电流应用。选型时需注意散热设计。
