RST2025S
RST2025S 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
官方品牌 · 原厂渠道
产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- SOP-8
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench
- Product status:
- Production
- Polarity:
- N
- ID(A):
- 25
- VTH(V):
- 0.75
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- 3.2
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- 4
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- 4.2
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- 5.2
- VGS(th)(V):
- ±12
- CISS(pF):
- 5300
- QG(nC):
- 64.9
- PD(W):
- 3
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装特性
瑞斯特 RST2025S 是一款采用先进沟槽工艺技术的N沟道增强型功率MOSFET，专为DC/DC转换器、电池保护等低压大电流高密度应用设计。主要额定参数：漏源电压 VDS = 20V，连续漏极电流 ID = 25A（TA=25℃），脉冲漏极电流 IDM = 140A，导通电阻 RDS(ON) < 4mΩ（VGS=4.5V，典型值3.5mΩ），RDS(ON) < 6mΩ（VGS=2.5V，典型值4.2mΩ）。采用 SOP-8 表面贴装封装，结到环境热阻 50℃/W，最大功率耗散 2.5W（TA=25℃）。工作结温范围 -55~150℃，适合高密度板级组装。
■ 关键电气参数
RST2025S 具有卓越的导通特性，典型阈值电压 VGS(th) = 0.75V（ID=250μA），正向跨导 gFS = 60S（VDS=5V，ID=20A）。动态参数方面，输入电容 Ciss = 5300pF，输出电容 Coss = 785pF，反向传输电容 Crss = 629pF（VDS=10V，VGS=0V，f=1MHz）。开关特性优异：开通延迟 td(on) = 10ns，上升时间 tr = 12ns，关断延迟 td(off) = 50ns，下降时间 tf = 20ns。总栅极电荷 Qg = 64.9nC（VDS=10V，ID=20A，VGS=4.5V），栅源电荷 Qgs = 6.5nC，栅漏电荷 Qgd = 13.8nC。体二极管正向电压 VSD < 1.2V。
■ 热设计与高可靠性
RST2025S 结到环境热阻 50℃/W，配合 SOP-8 封装。高密度单元设计实现了超低导通电阻（典型3.5mΩ），器件经雪崩电压和电流全特性表征。SOP-8封装适合高密度板级组装，25A电流能力在SOP-8封装中极为出色，适用于需要极高功率密度的DC/DC转换和电池保护应用。
■ 主要应用领域
RST2025S 适用于低压大电流开关应用：
DC/DC转换：笔记本Vcore、DC-DC转换器中的功率开关。
电池保护：锂电池保护电路中的充放电保护开关。
负载开关：高密度板级负载切换和电源路径管理。
电源管理：低压大电流电源管理应用。
其20V耐压、25A电流能力和超低导通电阻（典型3.5mΩ），配合SOP-8封装，适合要求极高功率密度和效率的低压大电流应用。选型时需注意散热设计，确保结温不超过150℃。
