RST2004Y
RST2004Y 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- SOT-23
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench
- Product status:
- Production
- Polarity:
- N
- ID(A):
- 4
- VTH(V):
- 0.7
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- 20
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- 28
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- 26
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- 32
- VGS(th)(V):
- ±12
- CISS(pF):
- 550
- QG(nC):
- 6
- PD(W):
- 1
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装特性
瑞斯特 RST2004Y 是一款采用先进沟槽工艺技术的N沟道增强型功率MOSFET，专为需要超低导通电阻和低栅极电荷的低压开关应用设计。主要额定参数：漏源电压 VDS = 20V，连续漏极电流 ID = 4A（TA=25℃），脉冲漏极电流 IDM = 20A，导通电阻 RDS(ON) < 24mΩ（VGS=4.5V，典型值19mΩ），RDS(ON) < 32mΩ（VGS=2.5V，典型值25mΩ）。采用 SOT-23-3L 表面贴装封装，结到环境热阻 125℃/W，最大功率耗散 1.0W（TA=25℃）。工作结温范围 -55~150℃，适合高密度便携设备应用。
■ 关键电气参数
RST2004Y 具有优异的导通特性，典型阈值电压 VGS(th) = 0.7V（ID=250μA），正向跨导 gFS = 20S（VDS=5V，ID=4A）。动态参数方面，输入电容 Ciss = 550pF，输出电容 Coss = 110pF，反向传输电容 Crss = 85pF（VDS=10V，VGS=0V，f=1MHz）。开关特性优异：开通延迟 td(on) = 8ns，上升时间 tr = 9ns，关断延迟 td(off) = 15ns，下降时间 tf = 4ns。总栅极电荷 Qg = 6nC（VDS=10V，ID=4A，VGS=4.5V），栅源电荷 Qgs = 1.5nC，栅漏电荷 Qgd = 1.6nC。体二极管正向电压 VSD < 1.2V。
■ 热设计与高可靠性
RST2004Y 结到环境热阻 125℃/W，配合 SOT-23 小封装设计。高密度单元设计实现了超低导通电阻（典型19mΩ），器件经雪崩电压和电流全特性表征。低阈值电压（0.7V典型值）使其适合低电压驱动应用，SOT-23封装适合高密度便携设备。
■ 主要应用领域
RST2004Y 适用于低压小功率开关应用：
电源转换：硬开关和高频电路、DC-DC转换器中的功率开关。
负载开关：便携式设备中的负载切换、电源路径管理。
不间断电源：UPS辅助电源和信号控制电路。
工业控制：小功率驱动和逻辑电平转换电路。
其20V耐压、4A电流能力和超低导通电阻（典型19mΩ），配合SOT-23小封装，适合空间受限的低压高效应用。选型时需注意热管理，确保结温不超过150℃。
