RST2003
RST2003 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
官方品牌 · 原厂渠道
产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- SOT-23
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench
- Product status:
- Production
- Polarity:
- N+P
- ID(A):
- 3
- VTH(V):
- 0.7
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- 29
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- 45
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- 35
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- 60
- VGS(th)(V):
- ±12
- CISS(pF):
- 260
- QG(nC):
- 2.9
- PD(W):
- 0.8
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装特性
瑞斯特 RST2003 是一款采用先进沟槽工艺技术的互补（N沟道和P沟道）功率MOSFET，集成在单一 SOT-23-6L 表面贴装封装中，专为需要电平转换、高侧开关等应用设计。N沟道主要参数：漏源电压 VDS = 20V，连续漏极电流 ID = 3A（TA=25℃），导通电阻 RDS(ON) < 45mΩ（VGS=4.5V，典型值29mΩ），RDS(ON) < 60mΩ（VGS=2.5V，典型值35mΩ）。P沟道主要参数：漏源电压 VDS = -20V，连续漏极电流 ID = -3A（TA=25℃），导通电阻 RDS(ON) < 110mΩ（VGS=-4.5V，典型值78mΩ），RDS(ON) < 140mΩ（VGS=-2.5V，典型值102mΩ）。封装结到环境热阻 156℃/W，最大功率耗散 0.8W（TA=25℃）。工作结温范围 -55~150℃，无铅产品。
■ 关键电气参数（N沟道）
N沟道典型阈值电压 VGS(th) = 0.75V（ID=250μA），输入电容 Ciss = 260pF，输出电容 Coss = 48pF，反向传输电容 Crss = 27pF（VDS=10V，VGS=0V，f=1MHz）。开关特性优异：开通延迟 td(on) = 2.5ns，上升时间 tr = 3.2ns，关断延迟 td(off) = 21ns，下降时间 tf = 3ns。总栅极电荷 Qg = 2.95nC（VDS=10V，ID=3A），体二极管正向电压 VSD < 1.2V。
■ 关键电气参数（P沟道）
P沟道典型阈值电压 VGS(th) = -0.7V（ID=250μA），输入电容 Ciss = 325pF，输出电容 Coss = 63pF，反向传输电容 Crss = 37pF。开关特性：开通延迟 td(on) = 11ns，上升时间 tr = 5.5ns，关断延迟 td(off) = 22ns，下降时间 tf = 8ns。总栅极电荷 Qg = 3.2nC，体二极管正向电压 VSD < 1.2V。
■ 主要应用领域
RST2003 适用于需要互补器件的紧凑型电源和信号转换应用：
电平转换：高侧开关、电平移位电路。
电源管理：负载开关、DC-DC转换器中的同步整流。
信号处理：模拟开关、多路复用器。
便携设备：电池管理系统、电源路径管理。
其互补集成设计节省PCB面积，简化布局，适合空间受限的便携设备和工业控制应用。选型时需注意热管理，确保总功耗不超过封装限制。
