RST1N20

■ 器件概述与封装特性
瑞斯特（RST）RST1N20 是一款采用 SOT-23-3 封装的 N 沟道增强型 MOSFET，专为高压小功率应用设计，如网络设备中的 DC-DC 转换器和负载开关。主要额定参数：漏源电压 VDS = 200V，连续漏极电流 ID = 1A（TA=25℃），脉冲电流 IDM = 3A，栅源电压 VGS = ±20V。耗散功率 PD = 2.5W（TA=25℃，1in² 铜箔），热阻 θJA = 90℃/W（稳态）。器件经过 100% UIS 和 Rg 测试，具备可靠的雪崩耐受能力。SOT-23-3 封装在有限空间内实现了 200V 的高耐压，适用于高压辅助电源等场合。

■ 关键电气参数
RST1N20 的导通电阻典型值 RDS(on) = 500mΩ（VGS=10V、ID=1A），最大值 600mΩ，有效降低导通损耗。栅极阈值电压 VGS(th) 范围为 1V~3V（ID=250μA）。漏源击穿电压 BVDS 典型值 200V，确保在 160V 工作电压下留有充足裕量。零栅压漏电流 IDS 在 VDS=160V 时 ≤1μA（25℃），高温 85℃ 时 ≤30μA。动态参数：输入电容 CISS = 280pF（典型），输出电容 COSS = 25pF，反向传输电容 CRSS = 8.5pF（VDS=30V、f=1MHz）。总栅极电荷 Qg = 6nC（VDS=100V、VGS=10V），米勒电荷 Qgd = 1.5nC，有利于降低开关损耗。开关时间：td(on)=10ns，tr=8ns，td(off)=9ns，tf=24ns。体二极管正向压降 VSD = 0.8V（IS=1A），反向恢复时间 trr = 48ns，反向恢复电荷 Qrr = 70nC。

■ 热设计与可靠性
RST1N20 的稳态热阻 θJA = 90℃/W（基于 1in² 铜箔），在 25℃ 环境下最大耗散功率 2.5W。当环境温度升高时，需按降额曲线降低功率（例如 70℃ 时降为 1.6W）。建议将源极和漏极焊盘连接到足够面积的铜箔以辅助散热。器件符合 RoHS 标准，可承受 260℃ 回流焊。100% UIS 测试保证了其在雪崩条件下的可靠性，适用于感性负载开关。

■ 主要应用领域
RST1N20 凭借 200V 高耐压和 1A 电流能力，广泛适用于以下场景：

• 网络设备 DC-DC 转换器：用于路由器、交换机中的辅助电源或负载点转换器。

• 负载开关：作为高压侧或低压侧开关，控制 48V~150V 电源的接通与关断。

• LED 驱动电源：作为反激变换器中的初级开关管。

• 工业控制：驱动小型继电器、电磁阀或接触器。

• 电池管理系统：用于多串锂电池组的高压放电开关。

综上，瑞斯特 RST1N20 以 SOT-23 小封装、200V 高耐压和 1A 电流能力，成为高压小功率开关应用的理想选择。