RST1810AK
RST1810AK 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
官方品牌 · 原厂渠道
产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- TO-252
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench
- Product status:
- Production
- Polarity:
- N
- ID(A):
- 10
- VTH(V):
- 1.8
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- 172
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- 200
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- 180
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- 220
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- VGS(th)(V):
- ±20
- CISS(pF):
- 900
- QG(nC):
- 24
- PD(W):
- 55
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装特性
瑞斯特 RST1810AK 是一款采用先进沟槽工艺技术的N沟道增强型功率MOSFET，专为需要中等导通电阻和低栅漏电荷的高压开关应用设计。主要额定参数：漏源电压 VDS = 180V，连续漏极电流 ID = 10A（TC=25℃），脉冲漏极电流 IDM = 40A，导通电阻 RDS(ON) < 240mΩ（VGS=10V，典型值200mΩ）。采用 TO-252-2L（DPAK）表面贴装封装，结到壳热阻 2.3℃/W，最大功率耗散 55W（TC=25℃）。工作结温范围 -55~150℃，100% AVds测试。
■ 关键电气参数
RST1810AK 具有优良的导通特性，典型阈值电压 VGS(th) = 1.7V（ID=250μA），正向跨导 gFS = 3S（VDS=5V，ID=5A）。动态参数方面，输入电容 Ciss = 900pF，输出电容 Coss = 160pF，反向传输电容 Crss = 110pF（VDS=25V，VGS=0V，f=1MHz）。开关特性优异：开通延迟 td(on) = 8ns，上升时间 tr = 13ns，关断延迟 td(off) = 25ns，下降时间 tf = 8ns。总栅极电荷 Qg = 24nC（VDS=100V，ID=5A），栅源电荷 Qgs = 8nC，栅漏电荷 Qgd = 5nC，低栅漏电荷减少了开关损耗。体二极管正向电压 VSD < 1.2V。
■ 热设计与高可靠性
RST1810AK 结到壳热阻 2.3℃/W，配合 TO-252 封装良好的PCB散热能力。高密度单元设计实现了低导通电阻（典型200mΩ），低栅漏电荷设计减少了开关损耗，器件经雪崩电压和电流全特性表征。TO-252封装适合高密度表面贴装，适用于需要较小占板面积的应用。
■ 主要应用领域
RST1810AK 适用于高压高频开关应用：
电源转换：硬开关和高频电路、DC-DC转换器中的功率开关。
工业电源：开关电源（SMPS）、负载点电源（POL）。
不间断电源：UPS功率级设计。
负载开关：高压负载切换和电源路径管理。
其180V耐压、10A电流能力和低栅漏电荷特性，配合TO-252封装，适合需要较高效率和紧凑设计的电源转换应用。选型时需注意PCB散热设计，确保结温不超过150℃。
