RST1608N
RST1608N 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- SOT-23
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench
- Product status:
- Production
- Polarity:
- N
- ID(A):
- 8
- VTH(V):
- 0.7
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- 10
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- 12
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- 12.9
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- 16
- VGS(th)(V):
- ±12
- CISS(pF):
- 1150
- QG(nC):
- 15
- PD(W):
- 1.5
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装特性
瑞斯特 RST1608N 是一款采用先进沟槽工艺技术的N沟道增强型功率MOSFET，专为电池保护、负载开关等低压大电流应用设计，支持低至2.5V的栅极驱动电压。主要额定参数：漏源电压 VDS = 16V，连续漏极电流 ID = 8A（TA=25℃），脉冲漏极电流 IDM = 30A，导通电阻 RDS(ON) < 12mΩ（VGS=4.5V，典型值10mΩ），RDS(ON) < 16mΩ（VGS=2.5V，典型值12.9mΩ）。采用 SOT23-6L 表面贴装封装，结到环境热阻 83.3℃/W，最大功率耗散 1.5W（TA=25℃）。工作结温范围 -55~150℃，无铅产品，表面贴装封装。
■ 关键电气参数
RST1608N 具有优异的导通特性，典型阈值电压 VGS(th) = 0.7V（ID=250μA），正向跨导 gFS = 10S（VDS=5V，ID=6A）。动态参数方面，输入电容 Ciss = 1150pF，输出电容 Coss = 185pF，反向传输电容 Crss = 145pF（VDS=10V，VGS=0V，f=1MHz）。开关特性优异：开通延迟 td(on) = 6ns，上升时间 tr = 13ns，关断延迟 td(off) = 52ns，下降时间 tf = 16ns。总栅极电荷 Qg = 15nC（VDS=10V，ID=6A，VGS=4.5V），栅源电荷 Qgs = 0.8nC，栅漏电荷 Qgd = 3.2nC。体二极管正向电压 VSD < 1.2V。
■ 热设计与高可靠性
RST1608N 结到环境热阻 83.3℃/W，配合 SOT23-6L 小封装设计。高密度单元设计实现了超低导通电阻（典型10mΩ），器件经雪崩电压和电流全特性表征。低阈值电压（0.7V典型值）使其适合2.5V低电压驱动应用，SOT23-6L封装适合高密度便携设备。
■ 主要应用领域
RST1608N 适用于低压大电流开关应用：
电池保护：锂电池保护电路中的充放电保护开关。
负载开关：便携式设备中的负载切换、电源路径管理。
电源管理：低压DC-DC转换器、稳压器中的功率开关。
消费电子：智能手机、平板电脑等便携设备的电源管理。
其16V耐压、8A电流能力和超低导通电阻（典型10mΩ），配合SOT23-6L小封装，适合空间受限的低压大电流应用。选型时需注意热管理，确保结温不超过150℃。
