RST15P25I
RST15P25I 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
官方品牌 · 原厂渠道
产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- TO-251
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench
- Product status:
- Production
- Polarity:
- P
- ID(A):
- -25
- VTH(V):
- -1.9
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- 120
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- 135
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- 131
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- 160
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- VGS(th)(V):
- ±20
- CISS(pF):
- 7650
- QG(nC):
- 137
- PD(W):
- 160
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装特性
瑞斯特（RST）RST15P25I 是一款采用 TO-251 表面贴装封装的高性能 P 沟道功率 MOSFET，专为高功率密度开关应用而设计。该器件采用先进的沟槽工艺技术，实现了超低的导通电阻和低栅极电荷，具备优异的 ESD 保护能力和高可靠性。主要额定参数：漏源电压 VDS = -150V，连续漏极电流 ID = -25A（TC=100℃ 时 -17A），脉冲漏极电流 IDM = -140A，栅源电压 VGS = ±20V。器件耗散功率 PD = 160W，降额因子 1.3W/℃，结温范围 -55℃ ~ +150℃。TO-251 封装结到外壳热阻 RθJC = 1.25℃/W，适合高密度 PCB 设计。
■ 关键电气参数
RST15P25I 的导通电阻典型值在 VGS=-10V、ID=-20A 时为 120mΩ，最大值 135mΩ（VGS=-4.5V 时最大 160mΩ），低 RDS(on) 可有效降低导通损耗。栅极阈值电压 VGS(th) 典型值为 -1.9V（ID=-250μA），适合 3V/5V 逻辑驱动。动态特性方面，输入电容 CISS = 7650pF，输出电容 COSS = 148pF，反向传输电容 CRSS = 131pF（VDS=-75V、f=1MHz）。开关特性方面，典型开通延迟时间 td(on) = 17ns，上升时间 tr = 80ns，关断延迟时间 td(off) = 45ns，下降时间 tf = 65ns。总栅极电荷 Qg = 137nC，栅源电荷 Qgs = 25nC，栅漏电荷 Qgd = 28nC。体二极管反向恢复电荷 Qrr = 105nC。
■ 热设计与可靠性
TO-251 封装结到外壳热阻 RθJC = 1.25℃/W，设计时需注意 PCB 铜箔面积和散热过孔。在 25℃ 壳温下最大耗散功率 160W，降额因子 1.3W/℃。工作结温范围 -55℃ ~ +150℃。器件经过 100% UIS 和 100% AVds 测试，确保在严苛的雪崩和过压条件下可靠工作。符合无铅制造要求，可承受 260℃ 回流焊峰值温度。
■ 主要应用领域
RST15P25I 凭借 -150V 耐压和 -25A 电流能力，广泛应用于以下场景：
便携设备：用于便携设备和电池供电系统中的电源管理。
DC-DC 转换器：适用于升压/降压转换器中的高侧开关。
逆变器：用于功率逆变器的功率级开关。
负载开关：用于高功率负载切换应用。
电池保护：用于锂电池保护电路中的充放电控制。
综上，瑞斯特 RST15P25I 以 TO-251 封装和 -150V 耐压，为高功率密度 P 沟道开关应用提供理想方案。
