RST15P10

■ 器件概述与封装
瑞斯特（RST）RST15P10 是一款采用 TO-252-2（DPAK）封装的 P 沟道增强型功率MOSFET，专为 -100V 中高压、-15A 大电流的功率管理应用设计，如台式机电源和DC-DC转换器。该器件额定漏源电压 VDS = -100V，连续漏极电流 ID = -15A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = -52A（300μs），栅源电压耐受 ±20V。最高结温 150℃，存储温度范围 -55℃~150℃。RST15P10 经过 100% UIS 和 Rg 测试，具备优异的雪崩耐受能力和栅极一致性，同时内置ESD保护，增强了器件的抗静电能力。TO-252-2 封装具有较大的散热焊盘和引线框架，适合大电流和较高功耗的应用场景，同时满足 RoHS 环保要求。

■ 关键电气参数
RST15P10 的导通电阻典型值 RDS(on) = 150mΩ（VGS=-10V, ID=-7.8A），在 VGS=-4.5V 条件下典型值为 180mΩ，在 -100V 耐压等级下实现了较低的导通损耗。栅极阈值电压 VGS(th) 范围 -1~-3V（ID=-250μA），兼容 3.3V/5V/10V 驱动。漏源击穿电压 BVDS = -100V（最小值），零栅压漏电流 IDSS < -1μA（85℃时 < -30μA），高温特性稳定。动态参数方面，输入电容 CISS 典型值 1050pF，输出电容 COSS 约 70pF，反向传输电容 CRSS 约 40pF（VDS=-30V, f=1MHz），较低的米勒电容有助于减少开关过程中的电压尖峰和振铃。栅极电荷 Qg 典型值 20.9nC（VGS=-10V），米勒电荷 Qgd 约 5.2nC，使其在 100kHz 开关频率下具备良好的开关性能。

■ 热管理与可靠性设计
RST15P10 在 TC=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 50W，TC=100℃ 时降额至 20W。结到外壳热阻 RθJC = 2.5℃/W，结到环境热阻 RθJA = 50℃/W，为系统散热设计提供了明确依据。建议将底部散热焊盘连接到足够面积的铜箔或散热器，以降低热阻，充分发挥器件的电流输出能力。器件经过 100% UIS 测试，确保在感性负载开关中的鲁棒性（具体雪崩能量未列出，但器件设计稳健）。栅极电阻 Rg 典型值约 8Ω，利于栅极驱动匹配。TO-252-2 封装可承受 260℃ 回流焊，适合大批量生产。

■ 典型应用场景
RST15P10 凭借 -100V 耐压、-15A 电流能力和低 RDS(on)，广泛适用于以下中高压功率应用：

• 台式机电源管理：用于主板电源的负载开关、电源路径切换，提供低阻抗通路。

• DC-DC 转换器：在 48V~72V 输入的 buck/boost 转换器中作为主开关或同步整流管，提高转换效率。

• 电池管理：适用于高压电池组（如 48V 系统）的保护板放电开关。

• 电机驱动：在工业电机控制中作为大电流开关，驱动直流或步进电机。

• 负载开关：在通信电源、服务器电源中实现低损耗的电源分配。

瑞斯特 RST15P10 以 TO-252-2 封装提供 -100V/-15A 的高性能，为工业与通信电源提供可靠、高效的功率开关方案。