RST15H10
RST15H10 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
官方品牌 · 原厂渠道
产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- TO-220-3L
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench
- Product status:
- Production
- Polarity:
- N
- ID(A):
- 100
- VTH(V):
- 3.2
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- VGS(th)(V):
- ±20
- CISS(pF):
- 11800
- QG(nC):
- 240
- PD(W):
- 370
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装特性
瑞斯特（RST）RST15H10 是一款采用 TO-220-3L 封装的高性能 N 沟道功率 MOSFET，专为超高功率开关应用而设计。该器件采用先进的沟槽工艺技术，实现了超低的导通电阻和低栅极电荷，具备优异的 ESD 能力和高雪崩耐量（EAS = 1100mJ）。主要额定参数：漏源电压 VDS = 150V，连续漏极电流 ID = 100A（TC=100℃ 时 70A），脉冲漏极电流 IDM = 390A，栅源电压 VGS = ±20V。器件耗散功率 PD = 370W，降额因子 2.47W/℃，结温范围 -55℃ ~ +175℃。TO-220-3L 封装便于安装散热器，适用于不间断电源、高频开关电路等超高功率应用。
■ 关键电气参数
RST15H10 的导通电阻典型值在 VGS=10V、ID=40A 时为 9.8mΩ，最大值 12mΩ，超低 RDS(on) 可大幅降低导通损耗。栅极阈值电压 VGS(th) 典型值为 3.2V（ID=250μA）。动态特性方面，输入电容 CISS = 13000pF，输出电容 COSS = 640pF，反向传输电容 CRSS = 556pF（VDS=25V、f=1MHz）。开关特性方面，典型开通延迟时间 td(on) = 32.5ns，上升时间 tr = 30ns，关断延迟时间 td(off) = 113ns，下降时间 tf = 48ns（VDD=30V、ID=2A、VGS=10V、RGEN=2.5Ω）。总栅极电荷 Qg = 326nC，栅源电荷 Qgs = 62nC，栅漏电荷 Qgd = 128nC。体二极管正向压降 VSD = 1.2V（IS=40A），反向恢复时间 trr = 52.5ns。
■ 热设计与可靠性
TO-220-3L 封装结到外壳热阻需根据散热条件确定。在 25℃ 壳温下最大耗散功率 370W，降额因子 2.47W/℃。工作结温范围 -55℃ ~ +175℃。器件经过 100% UIS 和 100% AVds 测试，确保在严苛的雪崩和过压条件下可靠工作。符合无铅制造要求，可承受 260℃ 回流焊峰值温度。
■ 主要应用领域
RST15H10 凭借 150V 耐压和 100A 超大电流能力，广泛应用于以下场景：
不间断电源（UPS）：用于 UPS 系统中的功率开关和逆变电路。
硬开关和高频电路：适用于高频 DC-DC 转换器、开关电源等。
功率因数校正（PFC）：作为 PFC 电路中的主开关管。
电机驱动：用于大功率电机控制器的功率级开关。
电源管理：用于高功率密度电源系统中的功率级。
综上，瑞斯特 RST15H10 以 TO-220-3L 封装和超低 RDS(on)，为超高功率开关应用提供卓越性能。
