RST1512IA
RST1512IA 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
官方品牌 · 原厂渠道
产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- TO-251
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench
- Product status:
- Production
- Polarity:
- N
- ID(A):
- 12
- VTH(V):
- 2
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- 130
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- 160
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- VGS(th)(V):
- ±20
- CISS(pF):
- 900
- QG(nC):
- 19
- PD(W):
- 50
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装特性
瑞斯特 RST1512IA 是一款采用先进沟槽工艺技术的N沟道增强型功率MOSFET，专为需要超低导通电阻（典型130mΩ）和良好散热能力的高压开关应用设计。主要额定参数：漏源电压 VDS = 150V，连续漏极电流 ID = 12A（TC=25℃），脉冲漏极电流 IDM = 50A，导通电阻 RDS(ON) < 160mΩ（VGS=10V，典型值130mΩ）。采用 TO-251（IPAK）通孔封装，结到壳热阻 2.7℃/W，最大功率耗散 55W（TC=25℃）。工作结温范围 -55~175℃，适合通孔组装应用。
■ 关键电气参数
RST1512IA 具有卓越的导通特性，典型阈值电压 VGS(th) = 2V（ID=250μA），正向跨导 gFS = 15S（VDS=15V，ID=10A）。动态参数方面，输入电容 Ciss = 900pF，输出电容 Coss = 115pF，反向传输电容 Crss = 70pF（VDS=25V，VGS=0V，f=1MHz）。开关特性优异：开通延迟 td(on) = 8ns，上升时间 tr = 10ns，关断延迟 td(off) = 20ns，下降时间 tf = 15ns。总栅极电荷 Qg = 19nC（VDS=75V，ID=1.5A），栅源电荷 Qgs = 5.5nC，栅漏电荷 Qgd = 7nC。体二极管正向电压 VSD < 1.2V。
■ 热设计与高可靠性
RST1512IA 结到壳热阻 2.7℃/W，配合 TO-251 通孔封装良好的散热能力。高密度单元设计实现了超低导通电阻（典型130mΩ），器件经雪崩电压和电流全特性表征。TO-251封装适合通孔组装，提供可靠的机械和热连接，适用于需要良好散热能力的应用。
■ 主要应用领域
RST1512IA 适用于高压中等功率开关应用：
电源转换：硬开关和高频电路、DC-DC转换器中的功率开关。
工业电源：开关电源（SMPS）、负载点电源（POL）。
不间断电源：UPS功率级设计。
电机驱动：小功率直流电机控制。
其150V耐压、12A电流能力和超低导通电阻（典型130mΩ），配合TO-251封装，适合需要较高功率密度和良好散热能力的电源转换应用。选型时需注意散热设计，确保结温不超过175℃。
