RST123 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计,电气性能稳定、环境适应性强, 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求,广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定,适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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■ 器件概述与封装
瑞斯特(RST)RST123 是一款采用 SOT-23 封装的 N 沟道增强型小信号MOSFET,专为笔记本计算机、便携设备和电池供电系统的电源管理和负载开关应用设计。该器件额定漏源电压 VDS = 100V,连续漏极电流 ID = 0.17A(TA=25℃),脉冲电流 IDM = 0.51A,栅源电压耐受 ±20V。最高结温 150℃,存储温度范围 -55℃~150℃。RST123 经过 100% UIS 和 Rg 测试,具备高可靠性和耐用性。SOT-23 封装(2.9mm×2.8mm)占用极小 PCB 面积,适合空间受限的便携设备,同时满足 RoHS 环保要求。
■ 关键电气参数
RST123 的导通电阻典型值 RDS(on) = 5Ω(VGS=10V),在 VGS=4.5V 时典型值为 8Ω。较高的导通电阻在小电流应用中可有效平衡性能与成本。栅极阈值电压 VGS(th) 典型值约 1.5V(ID=250μA),兼容 3.3V/5V 驱动。动态参数方面,输入电容、输出电容和反向传输电容较低,适合高频信号切换。栅极电荷 Qg 较低,米勒电荷 Qgd 较小,使其在 MHz 级开关频率下具备快速开关能力。体二极管反向恢复特性良好。
■ 热管理与可靠性设计
RST123 在 TA=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 1.05W,TA=70℃ 时降额至 0.67W。短脉冲(t≤10s)结到环境热阻 RθJA = 65℃/W,稳态热阻 120℃/W(基于 1in² 铜箔)。建议为漏极焊盘提供足够铜箔以改善散热。器件经过 100% UIS 测试,雪崩能量 EAS = 7.2mJ(L=0.1mH, IAS=12A,注意参数可能不匹配,但依手册),确保在感性负载开关中的可靠性。器件可承受 260℃ 回流焊。
■ 典型应用场景
RST123 凭借 100V 耐压、小电流能力和快速开关特性,广泛适用于以下应用:
笔记本电源管理:作为小信号负载开关,用于控制外设电源。
便携设备电池管理:在电池供电系统中作为逻辑电平转换或小电流开关。
信号切换:用于音频、传感器等模拟信号切换。
负载开关:在 48V 系统中实现低损耗的小电流电源路径管理。
瑞斯特 RST123 以 SOT-23 小封装提供 100V/0.17A 的 N 沟道小信号开关能力,为便携设备提供高性价比的解决方案。