RST0203S
RST0203S 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
官方品牌 · 原厂渠道
产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- SOP-8
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench
- Product status:
- Production
- Polarity:
- N
- ID(A):
- 3.9
- VTH(V):
- 3
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- 56
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- 79
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- VGS(th)(V):
- ±20
- CISS(pF):
- 4200
- QG(nC):
- 38
- PD(W):
- 3
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装特性
瑞斯特 RST0203S 是一款采用先进沟槽工艺技术的N沟道增强型功率MOSFET，专为需要超低导通电阻（典型56mΩ）和低栅漏电荷的高压开关应用设计。主要额定参数：漏源电压 VDS = 200V，连续漏极电流 ID = 3.9A（TA=25℃），脉冲漏极电流 IDM = 30A，导通电阻 RDS(ON) < 79mΩ（VGS=10V，典型值56mΩ）。采用 SOP-8 表面贴装封装，结到壳热阻 41.7℃/W，最大功率耗散 3W（TA=25℃）。工作结温范围 -55~150℃，100% AVds测试。
■ 关键电气参数
RST0203S 具有卓越的导通特性，典型阈值电压 VGS(th) = 3V（ID=250μA），正向跨导 gFS = 7S（VDS=50V，ID=3.9A）。动态参数方面，输入电容 Ciss = 4200pF，输出电容 Coss = 163pF，反向传输电容 Crss = 75pF（VDS=25V，VGS=0V，f=1MHz）。开关特性优异：开通延迟 td(on) = 15ns，上升时间 tr = 13ns，关断延迟 td(off) = 26ns，下降时间 tf = 14ns。总栅极电荷 Qg = 38nC（VDS=100V，ID=2.2A），栅源电荷 Qgs = 9nC，栅漏电荷 Qgd = 15nC，低栅漏电荷减少了开关损耗。体二极管正向电压 VSD < 1.2V。
■ 热设计与高可靠性
RST0203S 结到壳热阻 41.7℃/W，配合 SOP-8 封装。高密度单元设计实现了超低导通电阻（典型56mΩ），低栅漏电荷设计减少了开关损耗，器件经雪崩电压和电流全特性表征。SOP-8封装适合高密度板级组装。
■ 主要应用领域
RST0203S 适用于高压高频开关应用：
电源转换：硬开关和高频电路、DC-DC转换器中的功率开关。
工业电源：开关电源（SMPS）、负载点电源（POL）。
不间断电源：UPS功率级设计。
负载开关：高密度板级负载切换和电源路径管理。
其200V耐压、3.9A电流能力和超低导通电阻（典型56mΩ），配合SOP-8封装，适合需要高效率和较高电压的电源转换应用。选型时需注意散热设计。
