RST0202M
RST0202M 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
官方品牌 · 原厂渠道
产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- SOT-89
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench
- Product status:
- Production
- Polarity:
- N
- ID(A):
- 2
- VTH(V):
- 1.7
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- 520
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- 580
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- 540
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- 600
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- VGS(th)(V):
- ±20
- CISS(pF):
- 580
- QG(nC):
- 12
- PD(W):
- 1.5
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装特性
瑞斯特 RST0202M 是一款采用先进沟槽工艺技术的N沟道增强型功率MOSFET，专为需要中等导通电阻和低栅极电荷的高压开关应用设计。主要额定参数：漏源电压 VDS = 200V，连续漏极电流 ID = 2A（TA=25℃），脉冲漏极电流 IDM = 8A，导通电阻 RDS(ON) < 580mΩ（VGS=10V，典型值520mΩ），RDS(ON) < 600mΩ（VGS=4.5V，典型值540mΩ）。采用 SOT-89-3L 表面贴装封装，结到环境热阻 83.3℃/W（FR4板），最大功率耗散 1.5W（TA=25℃）。工作结温范围 -55~150℃，适合高密度便携设备应用。
■ 关键电气参数
RST0202M 具有优良的导通特性，典型阈值电压 VGS(th) = 1.8V（ID=250μA），正向跨导 gFS = 8S（VDS=15V，ID=2A）。动态参数方面，输入电容 Ciss = 580pF，输出电容 Coss = 90pF，反向传输电容 Crss = 3pF（VDS=25V，VGS=0V，f=1MHz），反向传输电容极低。开关特性优异：开通延迟 td(on) = 10ns，上升时间 tr = 12ns，关断延迟 td(off) = 15ns，下降时间 tf = 15ns。总栅极电荷 Qg = 12nC（VDS=100V，ID=2A），栅源电荷 Qgs = 2.5nC，栅漏电荷 Qgd = 3.8nC。体二极管正向电压 VSD < 1.2V。
■ 热设计与高可靠性
RST0202M 结到环境热阻 83.3℃/W，配合 SOT-89 封装。高密度单元设计实现了低导通电阻，器件经雪崩电压和电流全特性表征。SOT-89封装提供比SOT-23更好的散热能力，适用于中等功率密度的便携式电源应用。
■ 主要应用领域
RST0202M 适用于高压小功率开关应用：
电源转换：硬开关和高频电路、DC-DC转换器中的功率开关。
负载开关：便携式设备中的负载切换、电源路径管理。
不间断电源：UPS辅助电源和信号控制电路。
工业控制：小功率驱动和逻辑电平转换电路。
其200V耐压、2A电流能力和SOT-89封装，适合需要较高电压和中等功率密度的应用。选型时需注意热管理，确保结温不超过150℃。
