RST01P18D
RST01P18D 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
官方品牌 · 原厂渠道
产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- TO-263
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench
- Product status:
- Production
- Polarity:
- P
- ID(A):
- -18
- VTH(V):
- -1.9
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- 85
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- 100
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- 95
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- 120
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- VGS(th)(V):
- ±20
- CISS(pF):
- 3810
- QG(nC):
- 70
- PD(W):
- 70
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装特性
瑞斯特（RST）RST01P18D 是一款采用 TO-263-2L 表面贴装封装的高性能 P 沟道功率 MOSFET，专为高功率密度开关应用而设计。该器件采用先进的沟槽工艺技术，实现了超低的导通电阻和低栅极电荷，具备优异的 ESD 保护能力和高可靠性。主要额定参数：漏源电压 VDS = -100V，连续漏极电流 ID = -18A（TC=100℃ 时 -12A），脉冲漏极电流 IDM = -100A，栅源电压 VGS = ±20V。器件耗散功率 PD = 70W，降额因子 0.47W/℃，单脉冲雪崩能量 EAS = 170mJ，结温范围 -55℃ ~ +175℃。TO-263-2L 封装结到外壳热阻 RθJC = 2.14℃/W，适用于高密度 PCB 设计。
■ 关键电气参数
RST01P18D 的导通电阻典型值在 VGS=-10V、ID=-16A 时为 85mΩ，最大值 100mΩ（VGS=-4.5V、ID=-16A 时最大 120mΩ），超低 RDS(on) 可大幅降低导通损耗。栅极阈值电压 VGS(th) 典型值为 -1.9V（ID=-250μA），适合 3V/5V 逻辑驱动。动态特性方面，输入电容 CISS = 3810pF，输出电容 COSS = 129pF，反向传输电容 CRSS = 125pF（VDS=-50V、f=1MHz）。开关特性方面，典型开通延迟时间 td(on) = 16ns，上升时间 tr = 73ns，关断延迟时间 td(off) = 34ns，下降时间 tf = 57ns（VDD=-50V、ID=-16A、VGS=-10V、RGEN=9.1Ω）。总栅极电荷 Qg = 70nC，栅源电荷 Qgs = 12.5nC，栅漏电荷 Qgd = 15.5nC。体二极管正向压降 VSD = 1.2V（IS=-10A），反向恢复时间 trr = 88.3ns。
■ 热设计与可靠性
TO-263-2L 封装结到外壳热阻 RθJC = 2.14℃/W，设计时需注意 PCB 铜箔面积和散热过孔。在 25℃ 壳温下最大耗散功率 70W，降额因子 0.47W/℃。工作结温范围 -55℃ ~ +175℃。器件经过 100% UIS 和 100% AVds 测试，确保在严苛的雪崩和过压条件下可靠工作。符合无铅制造要求，可承受 260℃ 回流焊峰值温度。
■ 主要应用领域
RST01P18D 凭借 -100V 耐压和 -18A 电流能力，广泛应用于以下场景：
电源管理：用于笔记本计算机的电源管理电路。
DC-DC 转换器：适用于升压/降压转换器中的高侧开关。
便携设备：用于便携设备和电池供电系统中的电源管理。
逆变器：用于功率逆变器的功率级开关。
负载开关：用于高功率负载切换应用。
综上，瑞斯特 RST01P18D 以 TO-263-2L 封装和超低 RDS(on)，为高功率密度 P 沟道开关应用提供顶级方案。
