RST01ND03S 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计,电气性能稳定、环境适应性强, 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求,广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定,适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
官方品牌 · 原厂渠道
■ 器件概述与封装特性
瑞斯特(RST)RST01ND03S 是一款采用 SOP-8 表面贴装封装的高性能 N 沟道功率 MOSFET,专为中等功率开关应用而设计。该器件采用先进的沟槽工艺技术,实现了超低的导通电阻和低栅极电荷,具备优异的开关性能和可靠性。主要额定参数:漏源电压 VDS = 100V,连续漏极电流 ID = 3A(TC=100℃ 时 2.1A),脉冲漏极电流 IDM = 12A,栅源电压 VGS = ±20V。器件耗散功率 PD = 2W,结温范围 -55℃ ~ +150℃。SOP-8 封装结到环境热阻 RθJA = 62.5℃/W(在 1in² FR-4 PCB 上),适用于紧凑型设计,如电源管理、DC-DC 转换器等。
■ 关键电气参数
RST01ND03S 的导通电阻典型值在 VGS=10V、ID=3A 时为 95mΩ,最大值 130mΩ(VGS=4.5V 时最大 140mΩ),低 RDS(on) 可有效降低导通损耗。栅极阈值电压 VGS(th) 典型值为 1.5V(ID=250μA),适合 3V/5V 逻辑驱动。动态特性方面,输入电容 CISS = 730pF,输出电容 COSS = 37pF,反向传输电容 CRSS = 27pF(VDS=50V、f=1MHz)。开关特性方面,典型开通延迟时间 td(on) = 11ns,上升时间 tr = 7.4ns,关断延迟时间 td(off) = 35ns,下降时间 tf = 9.1ns(VDD=50V、ID=3A、VGS=10V、RGEN=2.5Ω)。总栅极电荷 Qg = 21.5nC,栅源电荷 Qgs = 3.2nC,栅漏电荷 Qgd = 6nC,低栅极电荷有助于实现快速开关。体二极管正向压降 VSD = 1.2V(IS=3A),反向恢复时间 trr = 26ns。
■ 热设计与可靠性
SOP-8 封装热阻 θJA 为 62.5℃/W(在 1in² FR-4 PCB 上,铜厚 2oz),设计时需注意 PCB 铜箔面积和散热过孔。在 25℃ 环境温度下最大耗散功率 2W。工作结温范围 -55℃ ~ +150℃。器件经过 100% UIS 和 100% AVds 测试,确保在严苛的雪崩和过压条件下可靠工作。符合无铅制造要求,可承受 260℃ 回流焊峰值温度。
■ 主要应用领域
RST01ND03S 凭借 100V 耐压和 3A 电流能力,广泛应用于以下场景:
电源开关应用:用于 DC-DC 转换器、开关电源中的功率开关。
硬开关和高频电路:适用于高频开关电路和功率因数校正(PFC)。
不间断电源(UPS):用于 UPS 系统中的辅助开关电路。
电机驱动:用于小功率电机控制器的开关级。
负载开关:用于便携设备和电池供电系统中的负载切换。
综上,瑞斯特 RST01ND03S 以 SOP-8 封装和低 RDS(on),为中等功率开关应用提供高性价比方案。