RST0160G
RST0160G 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- DFN5*6
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench
- Product status:
- Production
- Polarity:
- N
- ID(A):
- 60
- VTH(V):
- 3
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- 12.6
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- 16
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- VGS(th)(V):
- ±20
- CISS(pF):
- 2850
- QG(nC):
- 47
- PD(W):
- 105
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装特性
瑞斯特 RST0160G 是一款采用先进沟槽工艺技术的N沟道增强型功率MOSFET，专为需要超低导通电阻（典型12.6mΩ）和极高功率密度的表面贴装应用设计，适用于PWM、负载开关和通用应用。主要额定参数：漏源电压 VDS = 100V，连续漏极电流 ID = 60A（TC=25℃），脉冲漏极电流 IDM = 80A，导通电阻 RDS(ON) < 16mΩ（VGS=12.6V，典型值12.6mΩ）。采用 DFN5X6-8L 表面贴装封装，结到壳热阻 1.43℃/W，最大功率耗散 105W（TC=25℃），降额因子 0.70W/℃。工作结温范围 -55~175℃，100% UIS和AVds测试。
■ 关键电气参数
RST0160G 具有卓越的导通特性，典型阈值电压 VGS(th) = 3.7V（ID=250μA），正向跨导 gFS = 30S（VDS=15V，ID=10A）。动态参数方面，输入电容 Ciss = 2850pF，输出电容 Coss = 220pF，反向传输电容 Crss = 90pF（VDS=50V，VGS=0V，f=1MHz）。开关特性优异：开通延迟 td(on) = 17ns，上升时间 tr = 10ns，关断延迟 td(off) = 26ns，下降时间 tf = 10ns。总栅极电荷 Qg = 47nC（VDS=50V，ID=10A），栅源电荷 Qgs = 13nC，栅漏电荷 Qgd = 12.5nC。体二极管反向恢复时间 trr = 60ns，反向恢复电荷 Qrr = 200nC。
■ 热设计与高可靠性
RST0160G 结到壳热阻 1.43℃/W，配合 DFN5X6 封装优异的PCB散热能力。单脉冲雪崩能量 EAS = 550mJ（Tj=25℃），器件经 100% UIS 和 100% AVds 测试。高密度单元设计实现了超低导通电阻（典型12.6mΩ），DFN封装具有低寄生电感和优异的热性能，适合高频大功率应用。
■ 主要应用领域
RST0160G 适用于大功率、高频开关应用：
电源转换：硬开关和高频电路、DC-DC转换器中的功率开关。
电机驱动：直流电机控制、BLDC驱动器中的功率开关。
工业电源：开关电源（SMPS）、负载点电源（POL）。
不间断电源：UPS功率级设计。
其100V耐压、60A电流能力、超低导通电阻和DFN封装，适合要求最高功率密度和低寄生参数的先进电源系统。选型时需注意PCB散热设计。
