RST0140I2
RST0140I2 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- TO-251
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench
- Product status:
- Production
- Polarity:
- N
- ID(A):
- 40
- VTH(V):
- 3
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- 13
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- 15
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- VGS(th)(V):
- ±20
- CISS(pF):
- 3400
- QG(nC):
- 94
- PD(W):
- 140
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装特性
瑞斯特 RST0140I2 是一款采用先进沟槽工艺技术的N沟道增强型功率MOSFET，专为需要超低导通电阻（典型14.5mΩ）和高可靠性的大功率开关应用设计。主要额定参数：漏源电压 VDS = 100V，连续漏极电流 ID = 40A（TC=25℃），脉冲漏极电流 IDM = 160A，导通电阻 RDS(ON) < 17mΩ（VGS=10V，典型值14.5mΩ）。采用 TO-251（IPAK）通孔封装，结到壳热阻 1.07℃/W，最大功率耗散 140W（TC=25℃），降额因子 0.94W/℃。工作结温范围 -55~175℃，100% UIS和AVds测试。
■ 关键电气参数
RST0140I2 具有卓越的导通特性，典型阈值电压 VGS(th) = 3V（ID=250μA），正向跨导 gFS = 32S（VDS=25V，ID=28A）。动态参数方面，输入电容 Ciss = 3400pF，输出电容 Coss = 290pF，反向传输电容 Crss = 221pF（VDS=30V，VGS=0V，f=1MHz）。开关特性优异：开通延迟 td(on) = 15ns，上升时间 tr = 11ns，关断延迟 td(off) = 52ns，下降时间 tf = 13ns。总栅极电荷 Qg = 94nC（VDS=30V，ID=30A），栅源电荷 Qgs = 16nC，栅漏电荷 Qgd = 24nC。体二极管正向电压 VSD = 0.85V（典型值），反向恢复时间 trr = 33ns。
■ 热设计与高可靠性
RST0140I2 结到壳热阻 1.07℃/W，配合 TO-251 通孔封装良好的散热能力。单脉冲雪崩能量 EAS = 520mJ（Tj=25℃），器件经 100% UIS 和 100% AVds 测试。高密度单元设计实现了超低导通电阻（典型14.5mΩ），特殊工艺提供高ESD防护能力，适用于严苛的工业和电源应用。
■ 主要应用领域
RST0140I2 适用于大功率开关应用：
电源转换：硬开关和高频电路、DC-DC转换器中的功率开关。
电机驱动：直流电机控制、BLDC驱动器中的功率开关。
工业电源：开关电源（SMPS）、负载点电源（POL）。
不间断电源：UPS功率级设计。
其100V耐压、40A电流能力和超低导通电阻（典型14.5mΩ），配合TO-251通孔封装，适合需要高可靠性和良好散热能力的功率转换应用。选型时需注意散热设计。
