RST0117I
RST0117I 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- TO-251
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench
- Product status:
- Production
- Polarity:
- N
- ID(A):
- 17
- VTH(V):
- 1.5
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- 56
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- 70
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- 65
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- 85
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- VGS(th)(V):
- ±20
- CISS(pF):
- 1350
- QG(nC):
- 30
- PD(W):
- 55
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装特性
瑞斯特 RST0117I 是一款采用先进沟槽工艺技术的N沟道增强型功率MOSFET，专为需要超低导通电阻和高可靠性的大功率开关应用设计。主要额定参数：漏源电压 VDS = 100V，连续漏极电流 ID = 17A（TC=25℃），脉冲漏极电流 IDM = 60A，导通电阻 RDS(ON) < 70mΩ（VGS=10V，典型值56mΩ），RDS(ON) < 85mΩ（VGS=4.5V，典型值65mΩ）。采用 TO-251（IPAK）通孔封装，结到壳热阻 2.27℃/W，最大功率耗散 55W（TC=25℃）。工作结温范围 -55~150℃，100% UIS和AVds测试。
■ 关键电气参数
RST0117I 具有卓越的导通特性，典型阈值电压 VGS(th) = 1.8V（ID=250μA），正向跨导 gFS = 12S（VDS=5V，ID=5A）。动态参数方面，输入电容 Ciss = 1350pF，输出电容 Coss = 240pF，反向传输电容 Crss = 180pF（VDS=25V，VGS=0V，f=1MHz）。开关特性优异：开通延迟 td(on) = 13.8ns，上升时间 tr = 9.3ns，关断延迟 td(off) = 43.8ns，下降时间 tf = 11.4ns。总栅极电荷 Qg = 30nC（VDS=30V，ID=5A），栅源电荷 Qgs = 6.4nC，栅漏电荷 Qgd = 8.6nC。体二极管正向电压 VSD < 1.2V。
■ 热设计与高可靠性
RST0117I 结到壳热阻 2.27℃/W，配合 TO-251 通孔封装良好的散热能力。单脉冲雪崩能量 EAS = 28mJ（Tj=25℃），器件经 100% UIS 和 100% AVds 测试。高密度单元设计实现了超低导通电阻（典型56mΩ），特殊工艺提供高ESD防护能力，适用于严苛的工业和电源应用。TO-251封装适合通孔组装，提供可靠的机械和热连接。
■ 主要应用领域
RST0117I 适用于大功率开关应用：
电源转换：硬开关和高频电路、DC-DC转换器中的功率开关。
电机驱动：直流电机控制、BLDC驱动器中的功率开关。
工业电源：开关电源（SMPS）、负载点电源（POL）。
不间断电源：UPS功率级设计。
其100V耐压、17A电流能力和超低导通电阻（典型56mΩ），配合TO-251通孔封装，适合需要高可靠性和良好散热能力的功率转换应用。选型时需注意散热设计，确保结温不超过150℃。
