RST0110AS
RST0110AS 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
官方品牌 · 原厂渠道
产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- SOP-8
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench
- Product status:
- Production
- Polarity:
- N
- ID(A):
- 10
- VTH(V):
- 1.1
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- 14
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- 17
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- 18
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- 26
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- VGS(th)(V):
- ±20
- CISS(pF):
- 3835
- QG(nC):
- 90
- PD(W):
- 3.1
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装特性
瑞斯特 RST0110AS 是一款采用先进沟槽工艺技术的N沟道增强型功率MOSFET，专为需要超低导通电阻（典型14mΩ）和低栅极电荷的DC/DC转换、同步整流等高频高效应用设计。主要额定参数：漏源电压 VDS = 100V，连续漏极电流 ID = 10A（TA=25℃），脉冲漏极电流 IDM = 70A，导通电阻 RDS(ON) < 17mΩ（VGS=10V，典型值14mΩ），RDS(ON) < 20mΩ（VGS=4.5V，典型值15.2mΩ）。采用 SOP-8 表面贴装封装，结到环境热阻 40℃/W（FR4板），最大功率耗散 3.1W（TA=25℃）。工作结温范围 -55~150℃，适合高密度板级组装。
■ 关键电气参数
RST0110AS 具有卓越的导通特性，典型阈值电压 VGS(th) = 1.3V（ID=250μA），正向跨导 gFS = 26S（VDS=10V，ID=10A）。动态参数方面，输入电容 Ciss = 3835pF（典型值），输出电容 Coss = 178pF，反向传输电容 Crss = 153pF（VDS=50V，VGS=0V，f=1MHz）。开关特性优异：开通延迟 td(on) = 13ns，上升时间 tr = 14ns，关断延迟 td(off) = 25ns，下降时间 tf = 10ns。总栅极电荷 Qg = 90nC（VDS=50V，ID=10A），栅源电荷 Qgs = 10nC，栅漏电荷 Qgd = 24nC。体二极管正向电压 VSD = 0.85V（典型值），反向恢复时间 trr = 33ns。
■ 热设计与高可靠性
RST0110AS 结到环境热阻 40℃/W，配合 SOP-8 封装。特殊工艺技术提供高ESD防护能力，高密度单元设计实现了超低导通电阻（典型14mΩ），器件经雪崩电压和电流全特性表征。优异的体二极管特性（trr=33ns）使其特别适合同步整流等需要快速反向恢复的应用。SOP-8封装适合高密度板级组装。
■ 主要应用领域
RST0110AS 适用于高频高效开关应用：
DC/DC转换：初级侧开关、同步整流应用。
通信电源：电信/服务器电源中的功率开关。
负载开关：高密度板级负载切换和电源路径管理。
工业电源：高频开关电源（SMPS）中的功率级。
其100V耐压、10A电流能力和超低导通电阻（典型14mΩ），配合SOP-8小封装，适合要求极高效率和高功率密度的DC/DC转换和同步整流应用。选型时需注意散热设计。
