RST0108AS
RST0108AS 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- SOP-8
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench
- Product status:
- Production
- Polarity:
- N
- ID(A):
- 8
- VTH(V):
- 1.8
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- 28
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- 32
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- 33
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- 40
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- VGS(th)(V):
- ±20
- CISS(pF):
- 2000
- QG(nC):
- 42
- PD(W):
- 2.6
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装特性
瑞斯特 RST0108AS 是一款采用先进沟槽工艺技术的N沟道增强型功率MOSFET，专为需要超低导通电阻（典型22mΩ）和低栅极电荷的DC/DC转换、同步整流等高频应用设计。主要额定参数：漏源电压 VDS = 100V，连续漏极电流 ID = 8A（TA=25℃），脉冲漏极电流 IDM = 57A，导通电阻 RDS(ON) < 28mΩ（VGS=10V，典型值22mΩ）。采用 SOP-8 表面贴装封装，结到环境热阻 48℃/W（FR4板），最大功率耗散 2.6W（TA=25℃）。工作结温范围 -55~150℃，适合高密度板级组装。
■ 关键电气参数
RST0108AS 具有卓越的导通特性，典型阈值电压 VGS(th) = 1.8V（ID=250μA），正向跨导 gFS = 20S（VDS=5V，ID=8A）。动态参数方面，输入电容 Ciss = 2000pF，输出电容 Coss = 300pF，反向传输电容 Crss = 250pF（VDS=50V，VGS=0V，f=1MHz）。开关特性优异：开通延迟 td(on) = 12ns，上升时间 tr = 10ns，关断延迟 td(off) = 19ns，下降时间 tf = 8ns。总栅极电荷 Qg = 42nC（VDS=50V，ID=10A），栅源电荷 Qgs = 9nC，栅漏电荷 Qgd = 10nC。体二极管正向电压 VSD = 0.85V（典型值），反向恢复时间 trr = 30ns。
■ 热设计与高可靠性
RST0108AS 结到环境热阻 48℃/W，配合 SOP-8 封装。特殊工艺技术提供高ESD防护能力，高密度单元设计实现了超低导通电阻（典型22mΩ），器件经雪崩电压和电流全特性表征。优异的体二极管特性（trr=30ns）使其特别适合同步整流等需要快速反向恢复的应用。
■ 主要应用领域
RST0108AS 适用于高频高效开关应用：
DC/DC转换：初级侧开关、同步整流应用。
通信电源：电信/服务器电源中的功率开关。
负载开关：高密度板级负载切换和电源路径管理。
工业电源：高频开关电源（SMPS）中的功率级。
其100V耐压、8A电流能力和超低导通电阻，配合SOP-8小封装，适合要求高效率和高功率密度的DC/DC转换和同步整流应用。选型时需注意散热设计。
