RST0107AK
RST0107AK 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
官方品牌 · 原厂渠道
产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- TO-252
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench
- Product status:
- Production
- Polarity:
- N
- ID(A):
- 7
- VTH(V):
- 1.1
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- 138
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- 170
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- 144
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- 180
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- VGS(th)(V):
- ±12
- CISS(pF):
- 650
- QG(nC):
- 20.6
- PD(W):
- 30
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装特性
瑞斯特 RST0107AK 是一款采用先进沟槽工艺技术的N沟道增强型功率MOSFET，专为需要超低导通电阻和良好散热能力的中低压开关应用设计。主要额定参数：漏源电压 VDS = 100V，连续漏极电流 ID = 7A（TA=25℃），脉冲漏极电流 IDM = 20A，导通电阻 RDS(ON) < 160mΩ（VGS=10V，典型值136mΩ），RDS(ON) < 170mΩ（VGS=4.5V，典型值140mΩ）。采用 TO-252-2L（DPAK）表面贴装封装，结到壳热阻 3.75℃/W，最大功率耗散 40W（TC=25℃）。工作结温范围 -55~175℃，适合高密度组装和中等功率应用。
■ 关键电气参数
RST0107AK 具有优异的导通特性，典型阈值电压 VGS(th) = 1.1V（ID=250μA），正向跨导 gFS = 5S（VDS=5V，ID=3A）。动态参数方面，输入电容 Ciss = 650pF，输出电容 Coss = 25pF，反向传输电容 Crss = 20pF（VDS=50V，VGS=0V，f=1MHz）。开关特性优异：开通延迟 td(on) = 6ns，上升时间 tr = 4ns，关断延迟 td(off) = 20ns，下降时间 tf = 4ns。总栅极电荷 Qg = 20.6nC（VDS=50V，ID=3A），栅源电荷 Qgs = 2.1nC，栅漏电荷 Qgd = 3.3nC。体二极管正向电压 VSD < 1.2V。
■ 热设计与高可靠性
RST0107AK 结到壳热阻 3.75℃/W，配合 TO-252 封装良好的PCB散热能力。高密度单元设计实现了超低导通电阻，器件经雪崩电压和电流全特性表征。低阈值电压（1.1V典型值）使其适合低电压驱动应用，TO-252封装提供更好的功率耗散能力（40W），适用于中等功率的工业和电源应用。
■ 主要应用领域
RST0107AK 适用于中低压中等功率开关应用：
电源转换：硬开关和高频电路、DC-DC转换器中的功率开关。
负载开关：便携式设备中的负载切换、电源路径管理。
不间断电源：UPS辅助电源和信号控制电路。
工业控制：中等功率驱动和逻辑电平转换电路。
其100V耐压、7A电流能力和超低导通电阻（典型136mΩ），配合TO-252封装，适合需要较高效率的中低压应用。选型时需注意热管理，确保结温不超过175℃。
