PMV74EPE 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计,电气性能稳定、环境适应性强, 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求,广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定,适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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■ 器件概述与封装特性
瑞斯特(RST)PMV74EPE 是一款采用 SOT-23 封装的 P 沟道增强型 MOSFET,基于先进的沟槽工艺和高密度单元设计,实现低导通电阻和高电流能力,适用于负载/电源切换、接口开关等应用。主要额定参数:漏源电压 VDS = -30V,连续漏极电流 ID = -4.2A(脉冲电流 IDM = -30A),栅源电压 VGS = ±12V。耗散功率 PD = 1.4W(TA=25℃),结温范围 -55℃ ~ +150℃,热阻 θJA = 125℃/W。SOT-23 封装适合高密度表面贴装。
■ 关键电气参数
PMV74EPE 的导通电阻典型值:VGS=-10V、ID=-4.2A 时为 48mΩ,最大值 55mΩ;VGS=-4.5V、ID=-3A 时为 53mΩ(最大 65mΩ);VGS=-2.5V、ID=-1A 时为 65mΩ(最大 75mΩ)。栅极阈值电压 VGS(th) 典型值为 -0.7V(ID=-250μA),范围 -0.7V ~ -1.3V,兼容 2.5V/4.5V 逻辑电平。动态参数:输入电容 CISS = 954pF,输出电容 COSS = 115pF,反向传输电容 CRSS = 12pF(VDS=8V、f=1MHz)。总栅极电荷 Qg = 9.4nC(VGS=10V),米勒电荷 Qgd = 3nC。开关时间:td(on)=6.3ns,tf=38.2ns。体二极管正向压降 VSD = -1.0V(IS=-2.9A),最大续流能力 -2.2A。这些特性使其在中低压开关应用中表现良好。
■ 热设计与可靠性
SOT-23 封装热阻 θJA = 125℃/W,在 25℃ 环境下最大耗散功率 1.4W,在 75℃ 时降为 1W。建议将源极焊盘连接到较大面积的铜箔(至少 20mm²)以辅助散热。当环境温度升高时,需按降额曲线降低功率。器件通过 260℃ 回流焊认证,并经过严格的可靠性测试。
■ 主要应用领域
PMV74EPE 凭借 -30V/-4.2A 能力和低 RDS(on),广泛适用于以下场景:
负载/电源切换:用于便携设备中的电源路径管理,30V 耐压适应更高电压系统。
DC-DC 转换器:作为同步整流 buck 的高侧 P 沟道开关,简化驱动电路。
接口开关:作为 I/O 扩展或信号切换的低侧开关。
电池保护电路:用于多串锂电池保护板的放电开关。
工业控制:驱动小型继电器或电磁阀。
综上,瑞斯特 PMV74EPE 以 SOT-23 封装、-30V/-4.2A 能力和低 RDS(on),成为中等电压负载开关和电源路径管理的理想选择。