BSS123K
BSS123K 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- SOT-23
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench
- Product status:
- Production
- Polarity:
- N
- ID(A):
- 0.17
- VTH(V):
- 1.5
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- 6100
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- 6800
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- 6500
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- 8000
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- VGS(th)(V):
- ±20
- CISS(pF):
- 29
- QG(nC):
- 1.7
- PD(W):
- 0.35
- Specialfeature:
- ESD
■ 器件概述与封装特性
瑞斯特（RST）BSS123K 是一款采用 SOT-23 小型表面贴装封装的 N 沟道增强型功率 MOSFET，专为低功耗小信号开关应用而设计。该器件采用高密度单元结构，实现了极低的导通电阻和出色的开关性能，同时具备 2kV HBM 的 ESD 保护能力，增强了抗静电可靠性。主要额定参数：漏源电压 VDS = 100V，连续漏极电流 ID = 0.17A（峰值脉冲电流 0.68A），栅源电压 VGS = ±20V。器件耗散功率 PD = 0.35W，结温范围 -55℃ ~ +150℃。SOT-23 封装尺寸约 2.9mm×1.3mm×1.0mm，适用于高密度电路板，如便携设备、电源管理模块和逻辑电平转换等。
■ 关键电气参数
BSS123K 的导通电阻典型值在 VGS=10V、ID=0.17A 时为 6.5Ω，最大值 7.2Ω（VGS=4.5V、ID=0.17A），低 RDS(on) 有助于降低导通损耗。栅极阈值电压 VGS(th) 典型值为 1.3V（ID=250μA），适合 3V/5V 逻辑驱动。动态特性方面，输入电容 CISS = 29pF，输出电容 COSS = 10pF，反向传输电容 CRSS = 2pF（VDS=50V、f=1MHz），极低的电容值使其具有快速的开关速度，典型开关时间 ton/toff 均在 10ns 以内。体二极管正向压降 VSD = 1.2V（IS=0.17A），最大连续续流能力 0.17A。这些特性使其在高频小信号开关、负载切换等应用中表现出色。
■ 热设计与可靠性
SOT-23 封装热阻 θJA 为 350℃/W（结到环境），设计时需注意 PCB 铜箔散热。在 25℃ 环境温度下最大耗散功率 0.35W，当环境温度升高时需线性降额。建议将源极引脚连接到较大面积的地平面以辅助散热。器件符合无铅制造要求，可承受 260℃ 回流焊峰值温度。通过高密度单元工艺和严格的可靠性测试，确保在宽温度范围内稳定工作。
■ 主要应用领域
BSS123K 凭借 100V 高耐压和低导通电阻，广泛应用于以下场景：
小信号负载开关：用于便携设备中的电源路径切换、电池保护电路。
逻辑电平转换：作为 3.3V/5V 系统到更高电压的接口电平转换器。
DC-DC 转换器辅助开关：在升压或降压电路中作为同步整流管的驱动级。
继电器和电磁阀驱动：作为低压侧开关驱动小功率电感负载。
固态继电器：用于电池供电系统中的固态开关控制。
综上，瑞斯特 BSS123K 以 SOT-23 封装、100V 耐压和低 RDS(on)，成为小信号开关和负载切换的理想选择。
